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标签 > 3d nand
3D NAND是英特尔和镁光的合资企业所研发的一种新兴的闪存类型,通过把内存颗粒堆叠在一起来解决2D或者平面NAND闪存带来的限制。固态硬盘的数据传输速度虽然很快,但售价和容量还都是个问题。这种宽度为2.5英寸的硬盘用来容纳存储芯片的空间较为有限,容量越高的芯片可以增加硬盘的总体存储空间,但更高的成本也拉高了硬盘的售价。
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更轻松地向数据中心添加闪存,并凭借快速、一致的性能消除存储瓶颈,降低总体拥有成本。
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本文为您讲述ROM存储介质3D NAND技术工艺的发展,现阶段主流的内存标准,包括传统eMMC,三星和苹果提出的UFC标准和NVMe标准。
3D NAND的好处自然就是能够比现在的闪存提供功能大的存储空间,存储密度可以达到现有闪存的三倍以上,未来甚至可以做出10TB以上的2.5寸SSD出来。
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