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3d nand

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3D NAND是英特尔和镁光的合资企业所研发的一种新兴的闪存类型，通过把内存颗粒堆叠在一起来解决2D或者平面NAND闪存带来的限制。固态硬盘的数据传输速度虽然很快，但售价和容量还都是个问题。这种宽度为2.5英寸的硬盘用来容纳存储芯片的空间较为有限，容量越高的芯片可以增加硬盘的总体存储空间，但更高的成本也拉高了硬盘的售价。

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3d nand技术

pSLC带来的“新”存储容量伪SLC如何兼顾耐用性和经济性

（作者：Swissbit AG 存储解决方案总经理 Roger Griesemer）如今，在 NAND 闪存行业中，随处可见存储密度又达到新高的各种新...

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存储芯片是什么存储芯片的分类及发展历史

存储芯片是半导体行业中非常重要的一类产品，我们日常所有的电子设备基本都会用到存储器。据WSTS预测，2023年全球存储芯片市场规模将达到1675亿美元，...

2023-07-07 标签：fpga asic 存储芯片 1.4万 0

一文读懂3D NAND存储器进化史

通过3D堆叠技术将存储层层堆叠起来，促成了NAND 技术进一步成熟。

2018-04-16 标签：存储器 3D NAND 1.3万 0

64层第二代3D NAND存储产品及解决方案

帮助智能手机制造商通过人工智能 (AI)、虚拟现实和面部识别等新一代移动功能来增强用户体验.

2018-04-08 标签：存储器美光 3d nand 9277 0

探讨半导体制造原子层刻蚀与沉积工艺的自限性反应

原子层刻蚀和沉积工艺利用自限性反应，提供原子级控制。泛林集团先进技术发展事业部公司副总裁潘阳博士分享了他对这个话题的看法。技术节点的每次进步都要求...

2021-02-08 标签：半导体行业 3d nand 7732 0

基于64层3D NAND技术的企业级SATA固态硬盘

更轻松地向数据中心添加闪存，并凭借快速、一致的性能消除存储瓶颈，降低总体拥有成本。

2018-04-10 标签：美光科技固态硬盘 3D NAND 6285 0

市场对于3D NAND的需求有多大?140层3D NAND层数还会远吗?

而且在堆叠层数增加的时候，存储堆栈的高度也在增大，然而每层的厚度却在缩小，以前的32/36层3D NAND的堆栈厚度为2.5μm，层厚度大约70nm，4...

2018-06-03 标签：东芝闪存芯片 3D NAND 5893 0

3D NAND技术工艺发展与主流内存标准探讨

本文为您讲述ROM存储介质3D NAND技术工艺的发展，现阶段主流的内存标准，包括传统eMMC，三星和苹果提出的UFC标准和NVMe标准。

2016-10-12 标签：内存 3D NAND 3402 1

高深宽比刻蚀和纳米级图形化推进存储器的路线图

探索未来三到五年生产可能面临的挑战，以经济的成本为晶圆厂提供解决方案

2022-01-10 标签：存储器 EUV 3d nand 2775 0

SSD容量突破关键：3D存储芯片大揭秘

3D NAND的好处自然就是能够比现在的闪存提供功能大的存储空间，存储密度可以达到现有闪存的三倍以上，未来甚至可以做出10TB以上的2.5寸SSD出来。

2015-06-01 标签：存储技术 SSD 3D NAND 2746 0

原子级工艺实现纳米级图形结构的要求

技术节点的每次进步都要求对制造工艺变化进行更严格的控制。最先进的工艺现在可以达到仅7 nm的fin宽度，比30个硅原子稍大一点。半导体制造已经跨越了从纳...

2020-06-02 标签：制造工艺 EUV 3d nand 2404 0

浅谈400层以上堆叠的3D NAND的技术

3D NAND闪存是一种把内存颗粒堆叠在一起解决2D或平面NAND闪存限制的技术。这种技术垂直堆叠了多层数据存储单元，具备卓越的精度，可支持在更小的空间...

2023-06-15 标签：NAND 存储芯片蚀刻技术 2180 0

深入解析泛林集团Striker ICEFill电介质填充技术

沉积技术是推进存储器件进步的关键要素。但随着3D NAND堆栈的出现，现有填充方法的局限性已开始凸显。

2021-02-22 标签：DRAM 3d nand 存储器件 2146 0

典型3D NAND闪存结构技术分析

这种存储技术的成功与其不断扩展密度和成本的能力有关——这是 NAND 闪存技术发展的主要驱动力。大约每两年，NAND 闪存行业就会显着提高位存储密度，以...

2023-06-27 标签：存储器 3d nand 随机存取存储器 2110 0

研华提供最新存储和内存全面解决方案！

数据安全是研华解决方案的核心。研华SQFlash系列提供全方位保护，包括数据加密（TCG-OPAL、FIPS）、数据安全擦除和异常断电保护。

2022-09-02 标签：闪存技术 3d nand 智慧交通 1932 0

存储芯片将走向何方？存储芯片的分类

应用了闪存堆叠技术的3D NAND Flash的出现，比以往的2D NAND Flash提供了更大存储空间，满足了业界日益增长的存储需求，因而成为主流。

2023-04-10 标签：NAND 存储芯片 3d nand 1759 0

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纳米片工艺流程中最关键的蚀刻步骤包括虚拟栅极蚀刻、各向异性柱蚀刻、各向同性间隔蚀刻和通道释放步骤。通过硅和 SiGe 交替层的剖面蚀刻是各向异性的，并使...

2023-05-30 标签：晶体管蚀刻工艺 3d nand 1714 0

关于半导体价值链分析（设计、制造和后制造）

半导体价值链的制造阶段包括晶圆制造、前段制程、中段制程、后段制程和远端制程。

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3D NAND的沟道通孔刻蚀工艺步骤

沟道通孔（Channel Hole）指的是从顶层到底层垂直于晶圆表面，穿过多层存储单元的细长孔洞。这些通孔贯穿整个堆叠结构，并填充了导电材料，它们在每个...

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3D NAND的主要制作流程

SiO2与SiNx交替镀膜，每层膜层在几十纳米左右。根据产品的不同，膜层的层数也不同。图中只是示意图，只有几层。但实际有64，128，400层等层数。

2024-03-19 标签：3d nand 芯片制程 957 0

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