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3d nand

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3D NAND是英特尔和镁光的合资企业所研发的一种新兴的闪存类型，通过把内存颗粒堆叠在一起来解决2D或者平面NAND闪存带来的限制。固态硬盘的数据传输速度虽然很快，但售价和容量还都是个问题。这种宽度为2.5英寸的硬盘用来容纳存储芯片的空间较为有限，容量越高的芯片可以增加硬盘的总体存储空间，但更高的成本也拉高了硬盘的售价。

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Gartner：2016年全球半导体晶圆级制造设备年增11%

在3D NAND与尖端逻辑芯片制程设备支出成长推动下，调研机构Gartner表示，2016全年全球半导体晶圆级制造设备市场规模年增11.3%，达374....

2017-04-25 标签：半导体晶圆 3D NAND 811 0

从华为P10闪存芯片事件，你看到了什么？

日前，网友发现华为P10不同批次手机采用了不同规格的闪存芯片。网上对此众说纷纭。华为官方也因此发表声明，华为手机跟国内外多家优秀的闪存供应商合作，同时为...

2017-04-21 标签：3d nand 华为p10 6027 0

慧荣科技FerriSSD 嵌入式引导加载应用

相较而言，大众市场 SSD 是专为成本敏感的消费领域（消费娱乐音频/视频应用程序）而设计，可能允许一定的数据错误。

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苹果闪存芯供应商推出256Gb 3D NAND 或用于未来iPhone

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2017-04-12 标签：海力士苹果 3d nand 1073 0

台积电或竞标东芝股案藉此进入3DNAND芯片代工

近日，东芝(Toshiba)出售NANDFlash事业群的竞标案炒得热闹，近期台湾经济部工业局也找台湾多家存储器相关业者密谈应对之策，将再找晶圆代工业者...

2017-03-03 标签：东芝台积电 3d nand 581 0

台积电敲门东芝3D NAND代工击破三星补贴政策

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2017-03-02 标签：三星电子台积电 3D NAND 678 0

3D NAND良率是NAND Flash市场最大变数

据海外媒体报道，去年下半年以来NAND Flash市场供不应求，主要关键在于上游原厂全力调拨2D NAND Flash产能转进3D NAND，但3D N...

2017-02-27 标签：存储器 NAND Flash 3D NAND 1476 0

长江存储在3D NAND存储器研发领域取得标志性进展

近日，由国家存储器基地主要承担单位长江存储科技有限责任公司（以下简称“长江存储”）与中国科学院微电子研究所联合承担的3D NAND存储器研发项目取得新进展。

2017-02-17 标签：存储器 3D NAND 长江存储 1657 0

中国在3D NAND存储器领域取得标志性进展

2月16日据中科院网站消息，近日，由国家存储器基地主要承担单位长江存储科技有限责任公司（以下简称“长江存储”）与中国科学院微电子研究所联合承担的3D N...

2017-02-16 标签：存储器 3D NAND 921 0

紫光集团2600亿投资南京半导体生产线

1月18日下午，新春佳节来临之际，从南京传来喜讯，紫光南京半导体产业基地项目签约。据披露，此次投资达到2600亿元，目前双方已经敲定了产线动工日期。联系...

2017-01-20 标签：DRAM 3D NAND 紫光 1916 0

SK海力士72层3D NAND内存传2017年领先全球量产

SK 海力士最先进 72 层 3D NAND 内存传明年开始量产，韩联社 26 日引述知情人事消息报导指出，海力士计划于 2017 上半年完成芯片设计，...

2016-12-27 标签：SK海力士 3D NAND 1401 0

中韩NAND Flash军备竞赛再起 2018年或供过于求

储存型快闪存储器（NAND Flash）军备竞赛再起，南韩存储器大厂SK海力士决定再投资3.16兆韩元（约27亿美元），在南韩及大陆两地增加存储器产能；...

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SK海力士砸27亿美元扩产NAND Flash 产能

需求回温、产能扩增有限，供需失衡下，DRAM价格在2016年下半逆势翻转，而原本看俏的NAND Flash在厂商间转进3D NAND良率还未提升下，同样...

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2016半导体制造设备市场规模为396.9亿美元

戴维斯表示，预计2016年全球半导体制造装置市场规模为396.9亿美元。同比增加8.7％。预计2017年将同比增加9.3％，达到434亿美元。关于推动市...

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我国三大存储力量渐成未来发展引人瞩目

近日，东南大学网站的一则《北京兆易创新-合肥共建项目招聘简章》受到行业内关注，尽管事后兆易创新发布澄清说明，称其与合肥长鑫及其相关方的合作项目目前仅处于...

2016-12-06 标签：NAND闪存 3D NAND 兆易创新 1683 0

大陆三星东芝纷纷增产 3D NAND竞争白热化

传三星电子平泽厂（Pyeongtaek）将提前投产，SK海力士（SK Hynix）、东芝（Toshiba）、美光（Micron）产能也将于明年下半全面开...

2016-10-10 标签：东芝三星电子 intel 1933 0

美光3D NAND低成本制程分析海力士/东芝能否赶上？

目前，我们还无法断定3D NAND是否较平面NAND更具有製造成本的优势，但三星与美光显然都决定把赌注押在3D NAND产品上。如今的问题在于，海力士（...

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干货！一文看懂3D NAND Flash

目前3D NAND仅由三星电子独家量产。而进入了最近两个月，先有东芝（Toshiba）杀入敌营，如今美光（Micron）也宣布研发出3D NAND 芯片...

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打破主流存储器空白长江存储在武汉正式成立

武汉新芯将成为长江存储的全资子公司。长江存储将以武汉新芯现有的12英寸先进集成电路技术研发与生产制造能力为基础，继续拓展武汉新芯目前的物联网业务布局，并...

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Intel大连工厂投产：造世界最先进3D NAND！

经过8个多月的努力，英特尔大连非易失性存储（NVRAM）制造新项目7月初在大连实现提前投产。去年10月，英特尔公司宣布投资55亿美元将大连工厂建设为世界...

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