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标签 > 3d封装
3D封装的形式有很多种,主要可分为填埋型、有源基板型和叠层型等3类。填埋型三维立体封装出现上世纪80年代,它是将元器件填埋在基板多层布线内或填埋、制作在基板内部,它不但能灵活方便地制作成填埋型,而且还可以作为IC芯片后布线互连技术,使填埋的压焊点与多层布线互连起来。这就可以大大减少焊接点,提高电子部件封装的可靠性。
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支持120W快充|亚成微推出3D封装技术高集成电源芯片,助力大功率、高密度快充量产
亚成微电子在近日推出了采用3D封装技术的高集成度电源管理解决方案,这是一种全新的解决方案,该系列芯片集成PWM控制器、MOS、MOS驱动器以及高压启动管...
日本政府传将提供资金协助日本企业研发2纳米(nm)以后的次世代半导体的制造技术,且将和中国台湾台积电(2330)等半导体厂商从事广范围意见交换来进行研发...
继Intel、台积电推出3D芯片封装后,三星宣布新一代3D芯片技术
在Intel、台积电各自推出自家的3D芯片封装技术之后,三星也宣布新一代3D芯片技术——X-Cube,基于TSV硅穿孔技术,可以将不同芯片搭积木一样堆叠...
在封装技术的走势方面,郑力预测,疫情的爆发,使得人们的很多活动都从线下搬到了线上,这对5G及新一代信息技术的发展起到了极大的助推作用。而5G通信的高频、...
芯片的连接触电密度/单比特功耗/扩展性,是英特尔发展先进制程的指标
半导体作为精密产业,生产周期较长。面对疫情带来的市场需求变化,半导体企业能否利用技术积累和产业链合作生态,保持快速交付的能力,实现“化危为机”,成为企业...
针对AMD移动锐龙4000系列的猛烈攻势,英特尔在2020下半年将以两套全新平台予以还击,新平台的代号分别为Lakefield和Tiger Lake,前...
毫无疑问,3D封装和SIP系统封装是当前以至于以后很长一段时间内微电子封装技术的发展方向。 目前3D封装技术的发展面临的难题:一是制造过程中实时工艺过程...
SIP有多种定义和解释,其中一说是多芯片堆叠的3D封装内系统集成,在芯片的正方向堆叠2片以上互连的裸芯片的封装。SIP是强调封装内包含了某种系统的功能封...
Intel去年曾对外介绍了名为Foveros的3D封装工艺技术,该技术将首次用于Lakefield家族处理器,采用英特尔独特的Foveros3D堆栈技术...
异构计算正大行其道,更多不同类型的芯片需被集成在一起,而依靠缩小线宽的办法已经无法同时满足性能、功耗、面积以及信号传输速度等多方面的要求。
3D封装成半导体巨头发展重点 封装技术在台积电技术版图中的重要性已越来越突出
近日,全球第二大晶圆代工厂格芯(GlobalFoundries)宣布,采用12nm FinFET工艺,成功流片了基于ARM架构的高性能3D封装芯片。这意...
行业 | Intel「Foveros」3D封装技术打造首款异质处理器
英特尔在今年的COMPUTEX终于正式宣布,其10纳米的处理器「Ice Lake」开始量产,但是另一个10纳米产品「Lakefiled」却缺席了。
格芯新开发出基于ARM架构的3D高密度测试芯片 成熟稳定性优于7纳米制程芯片
格芯指出,新开发出基于ARM架构的3D高密度测试芯片,是采用格芯的12纳米FinFET制程所制造,采用3D的ARM网状互连技术,允许资料更直接的传输到其...
自2018年4月始,台积电已在众多技术论坛或研讨会中揭露创新的SoIC技术,这个被誉为再度狠甩三星在后的秘密武器,究竟是如何厉害?
随着先进纳米制程已逼近物理极限,摩尔定律发展已难以为继,无法再靠缩小线宽同时满足性能、功耗、面积及讯号传输速度等要求;再加上封装技术难以跟上先进制程的发...
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