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标签 > 3d芯片
3D芯片是采用3D Tri-Gate晶体设计制造工艺技术,依靠3D三门晶体管生产的处理器芯片。3D芯片仍采用多核,不同的是,多个处理器不再并排相连,而是上下平行地连在一起。这样,线缆的分布面积就扩大至整个处理器的表面,而且平行结构也有效缩短了各个处理器之间缆线的长度。
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赵伟国:要解决卡脖子问题 中国IC行业2023年才能站稳脚跟
技术赶超才是真的超越。盲目扩产,追销量,蹭热点,不是赶得更近,而是差得更远。
美商陆得斯科技(Rudolph Technologies, Inc.)指出,到了3D晶片时代,矽钻孔(TSV)、微凸块(micro bumping)等半...
采用矽穿孔(TSV)的2.5D或3D IC技术,由于具备更佳的带宽与功耗优势,并能以更高整合度突破制程微缩已趋近极限的挑战,是近年来半导体产业的重要发展...
明导国际(Mentor Graphics)正戮力拓展电子设计自动化(EDA)市场版图。明导国际除瞄准2.5D/3D晶片发展新趋势,持续强化相关设计工具之...
伦敦奥运会将成为历史上首届采用3D电视技术直播的奥运会。作为国际奥委会TOP赞助商的松下,承担了本届奥运会3D电视转播的技术提供。
NVIDIA首席科学家Bill Dally在接受EE Times采访时谈到了3D整合电路,技术层面上中国的崛起以及美国研发投资的现状。
2012年4月27日讯 - GLOBALFOUNDRIES今天宣布,在为新一代移动和消费电子应用实现3D芯片堆叠的道路上,公司达到了一个重要的里程碑。在...
新发明的透明柔性3D存储芯片会成为小存设备中的一件大事。这种新的内存芯片透明柔韧,可以像纸一样折叠,而且可以耐受1000华氏度的温度
中微推出用于3D芯片及封装的硅通孔刻蚀设备Primo TSV200E(TM)
中微半导体设备有限公司(以下简称“中微”)推出了8英寸硅通孔(TSV)刻蚀设备Primo TSV200E™
应用材料公司和新加坡科技研究局研究机构--微电子研究院 (IME) 7号共同在新加坡第二科学园区共同为双方连手合作的先进封装卓越中心举行揭幕典礼。
全球首次成功将集成稳压器内置于3-D芯片底部,据IBM和哥伦比亚大学研究员表示,目前正在ISSCC(International Solid State ...
对整合逻辑和内存的3D IC而言,首个针对WideIO的商用化标准至关重要。尽管技术上的创新从不停歇,但现阶段在异质堆栈组件的设计团队之间仍然缺乏可交换...
在全球主要的半导体工程领域花费近十年的时间致力于使得这种结构实现可制造化之后,立体的三维芯片(3D IC)终于可望在明年开始商用化──但这其实也已经远落...
2011-12-15 标签:3D芯片 867 0
由苹果推出的语音助理Siri已成了科技新宠,打入了近日由《时代》杂志评出的2011年度50大发明。除此之外,3D芯片、先拍照后对焦相机、灯泡传送WIFI...
日月光集团总经理暨研发长唐和明昨(6)日表示,三维立体集成电路(3D IC)将是后PC时代主流,即使全球经济减缓,各厂推动研发脚步并不停歇,他推估201...
据台湾对外贸易发展协会(TAITRA)透露,芯片代工巨头台积电(TSMC)有望超过intel,在2011年底推出业内首款采用3-D芯片堆叠技术的半导体芯...
一、引言 3D芯片的处理对象是多边形表示的物体。用多边形表示物体有两个优点:首先是直接(尽管繁琐),多边形表示的物体其表面的分段线性特征除轮廓外可
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