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在半导体制造中,3纳米工艺是继5纳米MOSFET 技术节点之后的下一个芯片缩小。截至2019年,三星和台积电已宣布计划将3 nm 半导体节点投入商业生产。它基于GAAFET(全能栅极场效应晶体管)技术,这是一种多栅极MOSFET技术。
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Marvell高速芯片互连采用台积电最新3nm工艺,传输速率每秒240Tbps
当今汽车产业的品质标准会告诉你‘不要碰多芯片系统’,你甚至不能在封装上堆叠导孔。但我们也看到产业导入越来越多系统级的安全措施。这些在设计上具有足够安全性...
iPhone15Pro系列搭载全球首款3nm手机芯片——A17 Pro
今年GPU方面,苹果也做了改进。专业级 GPU 的速度提高了 20%,并且解锁全新体验,采用全新 6 核设计,可提高峰值性能和能源效率。现在,借助硬件加...
2023-09-13 标签:Apple WatchUSB-C3nm 1775 0
M3芯片是英特尔公司最新一代处理器之一,采用14纳米工艺制造,拥有8个核心和16个线程,主频可达2.7GHz。
尽管英特尔的第14代酷睿尚未发布,但第15代酷睿(代号Arrow Lake)已经曝光。新的酷睿系列产品将改为酷睿Ultra系列,并使用台积电的3nm工艺...
基于品质因数(FOM),该3nm技术的2-1鳍配置提供了18%的等功率速度增益,或在相同速度下比我们的5nm技术降低了34%的功率。
最小 Lg 是沟道栅极控制的函数,例如从具有不受约束的沟道厚度的单栅极平面器件转移到具有 3 个栅极围绕薄沟道的 FinFET,从而实现更短的 Lg。
三星3nm采用的晶体管架构是GAAFET,也被称为Nanosheet,而1nm制程对晶体管架构提出了更高的要求。
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