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74HC595是硅结构的CMOS器件， 兼容低电压TTL电路，遵守JEDEC NO.7A标准。
74HC595是硅结构的CMOS器件， 兼容低电压TTL电路，遵守JEDEC NO.7A标准。
74HC595具有8位移位寄存器和一个存储器，三态输出功能。 移位寄存器和存储器有相互独立的时钟。
数据在SH_cp（移位寄存器时钟输入）的上升沿输入到移位寄存器中，在ST_cp（存储器时钟输入）的上升沿输入到存储寄存器中去。如果两个时钟连在一起，则移位寄存器总是比存储寄存器早一个脉冲。
移位寄存器有一个串行移位输入（Ds），和一个串行输出（Q7’），和一个异步的低电平复位，存储寄存器有一个并行8位的，具备三态的总线输出，当使能OE时（为低电平），存储寄存器的数据输出到总线。
是硅结构的CMOS器件， 兼容低电压TTL电路，遵守JEDEC NO.7A标准。
74HC595具有8位移位寄存器和一个存储器，三态输出功能。 移位寄存器和存储器有相互独立的时钟。
数据在SH_cp（移位寄存器时钟输入）的上升沿输入到移位寄存器中，在ST_cp（存储器时钟输入）的上升沿输入到存储寄存器中去。如果两个时钟连在一起，则移位寄存器总是比存储寄存器早一个脉冲。
移位寄存器有一个串行移位输入（Ds），和一个串行输出（Q7’），和一个异步的低电平复位，存储寄存器有一个并行8位的，具备三态的总线输出，当使能OE时（为低电平），存储寄存器的数据输出到总线。
8位串行输入/输出或者并行输出移位寄存器，具有高阻关断状态。三态。
将串行输入的8位数字，转变为并行输出的8位数字，例如控制一个8位数码管，将不会有闪烁。
并行输出，总线驱动； 串行输入；标准中等规模集成电路
595移位寄存器有一个串行移位输入（Ds），和一个串行输出（Q7’），和一个异步的低电平复位，存储寄存器有一个并行8位的，具备三态的总线输出，当使能OE时（为低电平），存储寄存器的数据输出到总线。
参考数据
Cpd决定动态的能耗，
Pd=Cpd×VCC×f1+∑（CL×VCC^2×f0）
F1=输入频率，CL=输出电容 f0=输出频率（MHz） Vcc=电源电压
74hc595的主要功能（74hc595引脚图及功能_工作原理及电压_典型应用电路）
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74ls595和74hc595区别（引脚图及功能、应用电路图）
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2017-11-17 标签：74hc595 9.7万 0
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2017-11-20 标签：74hc595 3.4万 0
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