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SiC助力功率半导体器件的应用结温升高,将大大改变电力系统的设计格局
Yole Development 的市场调查报告表明,自硅功率半导体器件诞生以来,应用的需求一直推动着结温升高,目前已达到150℃。
实现SiC器件与先进电机、电控系统的全方位优化、匹配, 并促使逆变器更加“智能化”和“傻瓜化”
CISSOID与南京航空航天大学自动化学院电气工程系达成深度战略合作协议,建立联合电驱动实验室,共同开展相关前沿技术的研究开发
CISSOID与Silicon Mobility扩大合作伙伴关系, 提供完整的SiC逆变器参考设计
2023年3月20 日 –佛罗里达州奥兰多市 - CISSOID和Silicon Mobility今日宣布进一步扩展其合作伙伴关系,以提供完整的模块化碳...
CISSOID、NAC和Advanced Conversion三强联手开发 高功率密度碳化硅(SiC)逆变器
比利时蒙-圣吉贝尔/美国Bare–2022年6月23日– 高温半导体和功率模块领域的领导者CISSOID宣布,公司已与NAC Group和Advance...
CISSOID推出适用于航空应用的SiC智能功率模块,以满足其对自然冷却的需求
CISSOID 实现了功率模块和栅极驱动器的整体融合设计,且可通过仔细调整dv/dt去实现控制,通过快速切换所固有的电压过冲来优化IPM,从而将开关能量...
据外媒报道,比利时Cissoid公司推出一款三相SiC智能功率模块(IPM),可用于电动出行。
为了追求更高的转换效率和功率密度,在工业和新能源汽车等领域,系统设计师们逐步开始采用SiC器件替代传统的、基于硅(Si)工艺的IGBT器件。
各行业所需高温半导体解决方案的领导者CISSOID近日宣布,将继续致力于应对汽车和工业市场的挑战,并推出用于电动汽车的三相碳化硅(SiC)MOSFET智...
CISSOID宣布推出用于电动汽车的三相碳化硅(SiC)MOSFET智能功率模块
内置的栅极驱动器包括3个板载隔离电源(每相1个),可提供每相高达5W的功率,从而可以在高达125°C的环境温度下轻松驱动频率高达25KHz的功率模块。
CISSOID强劲可靠的栅极驱动器为Wolfspeed的快速开关碳化硅(SiC)功率模块提供支持
CMT-TIT0697栅极驱动器板被设计为可直接安装在CAB450M12XM3 1200V/450A碳化硅MOSFET功率模块上。凭借可提供每通道高达2...
CISSOID与国芯科技签署战略合作协议 以共同推动宽禁带功率半导体技术的研发及广泛应用
各行业所需高温半导体解决方案的领导者CISSOID今日宣布:在湖南株洲举行的中国IGBT技术创新与产业联盟第五届国际学术论坛上。
型号 | 描述 | 数据手册 | 参考价格 |
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CXT-PLA3SA12450AA | MOS POWER MODULE 1200V/450A SIC |
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CMT-TIT8243A | MOS GATE DRIVER 62MM 1200V SIC |
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CMT-TIT8244A | MOS GATE DRIVER 62MM 1700V SIC |
获取价格
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CMT-TIT0697A | MOS GATE DRIVER 1200V SIC |
获取价格
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CHT-PLA8294A-HM8A-T |
获取价格
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