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• 三星电子计划在2026年前推出400层V-NAND闪存芯片

  全球领先的存储芯片制造商三星电子正积极筹备在2026年前推出划时代的400层V-NAND闪存芯片，旨在把握人工智能（AI

  2024-11-01 标签： DRAM 三星电子 NAND闪存 196 0

• FormFactor发布2024财年第三季度财报,收入创历史新高

  FormFactor公司于10月30日公布了其截至2024年9月28日的2024财年第三季度财务报告。报告显示，Form

  2024-11-01 标签： DRAM FormFactor DDR5 139 0

• 存储市场面临多重挑战,NAND与DRAM价格承压

  从需求端审视，通货膨胀的压力以及AI个人电脑应用场景的匮乏，共同制约了大规模升级周期的到来。在供应端，主要制造商在第三季

  2024-10-28 标签： DRAM NAND 存储 220 0

• 三星推出业界首款24Gb（3GB）GDDR7 DRAM内存芯片

  三星推出了业内首款24Gb（即3GB）GDDR7 DRAM内存芯片，其超高速度可达42.5Gbps，专为下一代图形处理单

  2024-10-22 标签： DRAM 内存 三星 375 0

• 三星或重新设计1a DRAM以提升HBM质量

  　三星电子正面临严峻挑战，特别是在其半导体业务领域。除了代工业务停滞的问题，该公司在高带宽存储器（HBM）市场的竞争力也

  2024-10-22 标签： DRAM 三星电子 HBM 262 0

• DRAM存储器的特性有哪些

  DRAM（Dynamic Random Access Memory）即动态随机存储器，是一种半导体存储器，用于计算机系统

  2024-10-12 标签： DRAM 存储器 晶体管 346 0

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  物联网应用中HyperRAM的使用优势

  根据Ericsson在2020年6月发布的移动设备市场报告指出，包括NB-IoT和Cat-M在内的大规模物联网 (Mas

  2024-10-11 标签： 半导体 DRAM 物联网 278 0

• SRAM和DRAM有什么区别

  静态随机存储器（Static Random Access Memory，简称SRAM）和动态随机存储器（Dynamic

  2024-09-26 标签： DRAM 存储器 sram 913 0

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  动态随机存储器的定义和工作原理

  动态随机存储器（Dynamic Random Access Memory，简称DRAM）是一种半导体存储器，它利用电容内

  2024-09-26 标签： DRAM 存储器 计算机 620 0

• 北京君正首颗 21nm DRAM下半年推出，三大存储类芯片持续研发，待行业市场复苏

  电子发烧友网报道（文/黄晶晶）2024年上半年，北京君正实现营业收入 210,684.96万元，同比下降5.15%，实现

  2024-09-19 标签： DRAM 存储 存储芯片 2872 0

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