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EPROM数据

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EPROM由以色列工程师Dov Frohman发明，是一种断电后仍能保留数据的计算机储存芯片——即非易失性的（非挥发性）。它是一组浮栅晶体管，被一个提供比电子电路中常用电压更高电压的电子器件分别编程。

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　　EPROM由以色列工程师Dov Frohman发明，是一种断电后仍能保留数据的计算机储存芯片——即非易失性的（非挥发性）。它是一组浮栅晶体管，被一个提供比电子电路中常用电压更高电压的电子器件分别编程。一旦编程完成后，EPROM只能用强紫外线照射来擦除。通过封装顶部能看见硅片的透明窗口，很容易识别EPROM，这个窗口同时用来进行紫外线擦除。可以将EPROM的玻璃窗对准阳光直射一段时间就可以擦除。

EPROM数据百科

　　工作原理

　　EPROM是可编程器件，主流产品是采用双层栅（二层poly）结构，主要结构如图一所示。

　　浮栅中没有电子注入时，在控制栅加电压时，浮栅中的电子跑到上层，下层出现空穴。

　　由于感应，便会吸引电子，并开启沟道。

　　如果浮栅中有电子的注入时，即加大的管子的阈值电压，

　　沟道处于关闭状态。这样就达成了开关功能。

　　如图二所示，这是EPROM的写入过程，在漏极加高压，电子从源极流向漏极沟道充分开启。在高压的作用下，电子的拉力加强，能量使电子的温度极度上升，变为热电子（hot electrON）。这种电子几乎不受原子的振动作用引起的散射，在受控制栅的施加的高压时，热电子使能跃过SiO2的势垒，注入到浮栅中。

　　在没有别的外力的情况下，电子会很好的保持着。在需要消去电子时，利用紫外线进行照射，给电子足够的能量，逃逸出浮栅。

　　EEPROM的写入过程，是利用了隧道效应，即能量小于能量势垒的电子能够穿越势垒到达另一边。

　　量子力学认为物理尺寸与电子自由程相当时，电子将呈现波动性，这里就是表明物体要足够的小。

　　就pn结来看，当p和n的杂质浓度达到一定水平时，并且空间电荷极少时，电子就会因隧道效应向导带迁移。

　　电子的能量处于某个级别允许级别的范围称为“带”，较低的能带称为价带，较高的能带称为导带。

　　电子到达较高的导带时就可以在原子间自由的运动，这种运动就是电流。

　　EEPROM写入过程，如图3所示，根据隧道效应，包围浮栅的SiO2，必须极薄以降低势垒。

　　源漏极接地，处于导通状态。在控制栅上施加高于阈值电压的高压，以减少电场作用，吸引电子穿越。

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