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FinFET全称叫鳍式场效应晶体管，是一种新的互补式金氧半导体晶体管。FinFET命名根据晶体管的形状与鱼鳍的相似性。这种设计可以改善电路控制并减少漏电流，缩短晶体管的闸长。
FinFET全称Fin Field-Effect Transistor，中文名叫鳍式场效应晶体管，是一种新的互补式金氧半导体晶体管。FinFET命名根据晶体管的形状与鱼鳍的相似性。这种设计可以改善电路控制并减少漏电流，缩短晶体管的闸长。
闸长已可小于25纳米，未来预期可以进一步缩小至9纳米，约是人类头发宽度的1万分之1。由于在这种导体技术上的突破，未来芯片设计人员可望能够将超级计算机设计成只有指甲般大小。 FinFET源自于传统标准的晶体管—场效应晶体管 （Field-Effect Transistor；FET）的一项创新设计。在传统晶体管结构中，控制电流通过的闸门，只能在闸门的一侧控制电路的接通与断开，属于平面的架构。在FinFET的架构中，闸门成类似鱼鳍的叉状3D架构，可于电路的两侧控制电路的接通与断开。［2］ 这种设计可以大幅改善电路控制并减少漏电流（leakage），也可以大幅缩短晶体管的闸长。
FinFET全称Fin Field-Effect Transistor，中文名叫鳍式场效应晶体管，是一种新的互补式金氧半导体晶体管。FinFET命名根据晶体管的形状与鱼鳍的相似性。这种设计可以改善电路控制并减少漏电流，缩短晶体管的闸长。
闸长已可小于25纳米，未来预期可以进一步缩小至9纳米，约是人类头发宽度的1万分之1。由于在这种导体技术上的突破，未来芯片设计人员可望能够将超级计算机设计成只有指甲般大小。 FinFET源自于传统标准的晶体管—场效应晶体管 （Field-Effect Transistor；FET）的一项创新设计。在传统晶体管结构中，控制电流通过的闸门，只能在闸门的一侧控制电路的接通与断开，属于平面的架构。在FinFET的架构中，闸门成类似鱼鳍的叉状3D架构，可于电路的两侧控制电路的接通与断开。［2］ 这种设计可以大幅改善电路控制并减少漏电流（leakage），也可以大幅缩短晶体管的闸长。
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1 引言 集成电路技术的重要性源于其对于现代社会经济发展的基础性作用和国家安全的重要保障. 它不仅在能源安全与碳中和方面发挥着关键作用, 同时也是智能机...
电子发烧友网（文/吴子鹏）根据台湾媒体的最新消息，台积电1nm制程将落脚嘉义科学园区，台积电已向相关管理局提出100公顷用地需求，其中40公顷将先设立先...
ASIC设计服务暨IP研发销售厂商智原科技（Faraday Technology Corporation，TWSE：3035）提供完整的FinFET 1...
3nm工艺刚量产，业界就已经在讨论2nm了，并且在调整相关的时间表。2nm工艺不仅对晶圆厂来说是一个重大挑战，同样也考验着EDA公司，以及在此基础上设计...
新思科技携手合作伙伴面向台积公司N4PRF工艺推出全新射频方案
全新参考流程针对台积公司 N4PRF 工艺打造，提供开放、高效的射频设计解决方案。
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