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标签 > FinFET工艺
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FinFET 同样带来了更多限制,例如电压阈值感知间隔、植入层规则等。这些因素将影响摆设、布局规划和优化引擎,还会直接影响设计的利用率和面积。多重图案拆...
2018-04-04 标签:finfet工艺 1249 0
新思科技与GLOBALFOUNDRIES持续合作 推出高质量DesignWare IP
高质量DesignWare接口和模拟IP经过优化,可在人工智能、云计算和移动芯片中实现高性能和低功耗。
16日,三星电子宣布在基于EUV的高级节点方面取得了重大进展,包括7nm批量生产和6nm客户流片,以及成功完成5nm FinFET工艺的开发。 三星电子...
新思科技携手IBM,通过DTCO创新加速后FinFET工艺开发
采用新思科技Sentaurus、Process Explorer、StarRC、SiliconSmart、PrimeTime和IC Compiler I...
中芯国际将在2019年量产14纳米FinFET,并勾勒28纳米三阶段蓝图
在28纳米制程上,中芯也提出三阶段的规划蓝图。赵海军指出,第一阶段的polySion制程已经量产,第二阶段是第一代的HKMG制程(中芯称为HKC制程)已...
AMD季度业绩前景进行了展望,不是很乐观,收入可能会下滑8%至大约9.5亿美元,比此前预计的下滑3%严重很多,同时非GAAP毛利率仅28%。更有趣的是,...
知名芯片设计厂商ARM公司日前与台积电公司签订了一份为期多年的新协议,根据该协议,双方将就使用台积电的FinFET工艺制造下一代64bit ARM处理器...
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