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STDRIVEG600驱动GAN逆变器,在某一拍出现控制信号丢失，导致电机电流跌落的原因？

标签：逆变器 GaN 8100 1

基于GaN HEMT的半桥LLC优化设计和损耗分析

标签：GaN LLC 1198 0

基于VIPerGaN50和STUSB4761的45W QR USB PD适配器参考设计

标签：适配器 GaN 407 0

标签：GaN 快速充电器 425 0

标签：GaN 半桥驱动器 435 0

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标签：GaN 功率半导体 1079 0

标签：GaN 功率半导体 984 0

标签：集成电路 GaN 1010 0

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GAN041-650WSB氮化镓(GaN)FET规格书立即下载

类别：电子资料 2025-02-13 标签：FET 氮化镓 GaN 18 0

GAN039-650NBB氮化镓(GaN)FET规格书立即下载

类别：电子资料 2025-02-13 标签：氮化镓 GaN 13 0

GANE3R9-150QBA氮化镓(GaN)FET规格书立即下载

类别：电子资料 2025-02-12 标签：FET 氮化镓 GaN 26 0

GaNSafe–世界上最安全的GaN功率半导体立即下载

类别：电子资料 2025-01-24 标签：GaN 功率半导体 36 0

变速电机驱动器受益于集成GaN立即下载

类别：电子资料 2025-01-24 标签：驱动器 GaN 变速电机 36 0

新一代GaN器件,满足AI服务器电源需求立即下载

类别：电子资料 2025-01-24 标签：服务器 AI GaN 54 0

用于高频、大功率工业电机驱动的GaN功率IC创新立即下载

类别：电子资料 2025-01-24 标签：电机驱动高频 GaN 59 0

电动汽车的SiC演变和GaN革命立即下载

类别：电子资料 2025-01-24 标签：电动汽车 SiC GaN 63 0

利用GaN HEMTs降低电机驱动应用的系统成本立即下载

类别：电子资料 2025-01-23 标签：电机驱动 GaN 33 0

GaN半桥功率IC和AHB/图腾柱拓扑结构可实现效率高达95.5%的240W、150cc PD3.1解决方案立即下载

类别：电子资料 2025-01-22 标签：拓扑结构 GaN AHB 117 0

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蓝紫光VCSEL中的反射镜应用探索

在氮化镓发光二极体的发展过程中已受到许多的阻碍，其中包含缺少晶格匹配的基板、p型氮化镓镁的低活化率、电子电洞移动率差异大、与 quantum-confi...

2025-02-14 标签：VCSEL GaN 反射镜 64 0

探讨 GaN FET 在人形机器人中的应用优势

德州仪器的 Eason Tian 和 Kyle Wolf 撰写，主要探讨了 GaN FET（氮化镓场效应晶体管）在人形机器人中的应用优势，旨在说明其如何...

2025-02-14 标签：GaN 人形机器人 175 0

650V耐压GaN HEMT新增小型、高散热TOLL封装

~同时加快车载GaN器件的开发速度，以尽快投入量产~ 全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）已将TOLL（TO-LeadLess）封装的...

2025-02-13 标签：封装 GaN HEMT 77 0

GaN技术:颠覆传统硅基,引领科技新纪元

在开关模式电源中使用 GaN 开关是一种相对较新的技术。这种技术有望提供更高效率、更高功率密度的电源。本文讨论了该技术的准备情况，提到了所面临的挑战，并...

2025-02-11 标签：GaN 硅基 73 0

意法半导体推出250W MasterGaN参考设计

为了加快能效和功率密度都很出色的氮化镓（GaN）电源（PSU）的设计，意法半导体推出了EVL250WMG1L基于MasterGaN1L系统级封装（SiP...

2025-02-06 标签：意法半导体 GaN 谐振转换器 277 0

本土Tier1推出GaN OBC：单级拓扑、6.1kW/L功率密度、98%峰值效率

电子发烧友网报道（文/梁浩斌）近期GaN在OBC上的应用方案开始陆续推出市场，在一月初，阳光电动力推出了一款全新的二合一OBC方案，采用GaN器件以...

2025-02-05 标签：GaN OBC Tier1 4374 0

丰田合成开发出8英寸GaN单晶晶圆

近日，日本丰田合成株式会社宣布了一项重大技术突破：成功开发出用于垂直晶体管的200mm（8英寸）氮化镓（GaN）单晶晶圆。

2025-01-23 标签：晶圆晶体管 GaN 482 0

为什么650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超结MOSFET和高压GaN氮化镓器件？

650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超结MOSFET和高压GaN氮化镓器件

2025-01-23 标签：MOSFET SiC 氮化镓 269 0

解析GaN器件金刚石近结散热技术：键合、生长、钝化生长

在追求更高功率密度和更优性能的电子器件领域，GaN（氮化镓）器件因其卓越的性能而备受瞩目。然而，随着功率密度的不断提升，器件内部的热积累问题日益严重，成...

2025-01-16 标签：散热 GaN 金刚石 229 0

京东方华灿与晶通半导体签署合作备忘录

随着全球新能源汽车、人工智能、光伏及储能等新兴市场的蓬勃发展，高性能功率器件的需求呈现出前所未有的增长态势。在这一背景下，2025年1月8日于珠海金湾工...

2025-01-14 标签：半导体功率器件 GaN 357 0

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型号	描述	数据手册	参考价格
GS61008P-MR	增强型硅基氮化镓功率晶体管 VDS=100V ID=90A MODULE_7.55X4.59MM_SM		获取价格

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Qorvo

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5G手机

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5G网络作为最新一代的移动互联网通讯技术，相对4G而言，网速更快；5G手机是指使用第五代通信系统的智能手机。相对4G手机，5G手机有更快的传输速度，低时延，通过网络切片技术，拥有更精准的定位。
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自iphone7取消3.5mm插孔后蓝牙耳机市场得到迅猛发展，蓝牙耳机种类也层出不穷，TWS蓝牙耳机两耳挂不需要有线连接，一经面世TWS无线蓝牙耳机开始大行其道。
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　　智能工业：是将具有环境感知能力的各类终端、基于泛在技术的计算模式、移动通信等不断融入到工业生产的各个环节，大幅提高制造效率，改善产品质量，降低产品成本和资源消耗，将传统工业提升到智能化的新阶段。
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智慧家庭是智慧城市的最小单元，是以家庭为载体，以家庭成员之间的亲情为纽带，结合物联网、云计算、移动互联网和大数据等新一代信息技术，实现低碳、健康、智能、舒适、安全和充满关爱的家庭生活方式。
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无线收发模块JF24D整合了高频键控（GFSK）收发电路的功能，以特小体积更低成本实现高速数据传输的功能。JF24D的传输速率为1M，具有81个通道可任意设置而互不干扰。可在拥挤的ISM 频段中达到稳定可靠的短距离数据传输。
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三星集团是韩国最大的企业集团，包括85个下属公司及若干其他法人机构，在近70个国家和地区建立了近300个法人及办事处，员工总数20余万人，业务涉及电子、金融、机械、化学等众多领域。
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太赫兹是一种新的、有很多独特优点的辐射源；太赫兹技术是一个非常重要的交叉前沿领域，给技术创新、国民经济发展和国家安全提供了一个非常诱人的机遇可能引发科学技术的革命性发展。
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蓝牙5.0是由蓝牙技术联盟在2016年提出的蓝牙技术标准，蓝牙5.0针对低功耗设备速度有相应提升和优化，蓝牙5.0结合wifi对室内位置进行辅助定位，提高传输速度，增加有效工作距离。
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WiGig（Wireless Gigabit，无线千兆比特）是一种更快的短距离无线技术，可用于在家中快速传输大型文件。
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乐鑫信息科技（上海）有限公司 (Espressif Systems (Shanghai) Pte., Ltd.) 总部位于上海张江高科技园区，是一家先进、专业的无晶圆半导体公司，致力于研发设计低功耗的 Wi-Fi 和蓝牙系统级芯片，提供移动通讯和物联网解决方案。
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LoRaWAN基于LoRa远距离通信网络设计的一套通讯协议和系统架构，如果按协议分层来说LoRaWAN就是MAC层，LoRa是物理层。
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5G毫米波技术是5G应用中一项重要的基础技术，毫米波指的是一种特殊电磁波，波长为1毫米到10毫米，波动频率为30GHz-300GHz。相对于6GHz以下的频段，毫米波具有大带宽、低空口时延和灵活弹性空口配置等独特优势，可满足未来无线通信对系统容量、传输速率和差异化应用等方面的需求。
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无线设备一般指无线电通信设备舰艇上利用无线电波传输信息的设备。主要用于舰艇对外通信，是进行远距离通信的唯一手段。由发信机、收信机、天线、馈线和相应的终端设备构成。
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LoRa是一种线性调频扩频调制技术，它的全称为远距离无线电（Long Range Radio），因其传输距离远、低功耗、组网灵活等诸多优势特性都与物联网碎片化、低成本、大连接的需求不谋而合，故而被广泛应用于物联网各个垂直行业中。
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