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STDRIVEG600驱动GAN逆变器,在某一拍出现控制信号丢失，导致电机电流跌落的原因？

标签：逆变器 GaN 8124 1

基于GaN HEMT的半桥LLC优化设计和损耗分析

标签：GaN LLC 1221 0

基于VIPerGaN50和STUSB4761的45W QR USB PD适配器参考设计

标签：适配器 GaN 423 0

标签：GaN 快速充电器 442 0

标签：GaN 半桥驱动器 453 0

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标签：GaN 功率半导体 1103 0

标签：GaN 功率半导体 1012 0

标签：集成电路 GaN 1040 0

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GAN041-650WSB氮化镓(GaN)FET规格书立即下载

类别：电子资料 2025-02-13 标签：FET 氮化镓 GaN 42 0

GAN039-650NBB氮化镓(GaN)FET规格书立即下载

类别：电子资料 2025-02-13 标签：氮化镓 GaN 28 0

GANE3R9-150QBA氮化镓(GaN)FET规格书立即下载

类别：电子资料 2025-02-12 标签：FET 氮化镓 GaN 43 0

GaNSafe–世界上最安全的GaN功率半导体立即下载

类别：电子资料 2025-01-24 标签：GaN 功率半导体 49 0

变速电机驱动器受益于集成GaN立即下载

类别：电子资料 2025-01-24 标签：驱动器 GaN 变速电机 43 0

新一代GaN器件,满足AI服务器电源需求立即下载

类别：电子资料 2025-01-24 标签：服务器 AI GaN 63 0

用于高频、大功率工业电机驱动的GaN功率IC创新立即下载

类别：电子资料 2025-01-24 标签：电机驱动高频 GaN 76 0

电动汽车的SiC演变和GaN革命立即下载

类别：电子资料 2025-01-24 标签：电动汽车 SiC GaN 72 0

利用GaN HEMTs降低电机驱动应用的系统成本立即下载

类别：电子资料 2025-01-23 标签：电机驱动 GaN 42 0

GaN半桥功率IC和AHB/图腾柱拓扑结构可实现效率高达95.5%的240W、150cc PD3.1解决方案立即下载

类别：电子资料 2025-01-22 标签：拓扑结构 GaN AHB 139 0

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MP1918数据手册#100V、高频、半桥 GaN/MOSFET 驱动器

MP1918 是一款 100V 半桥驱动器，用于在半桥或同步应用中驱动具有低栅极阈值电压的增强型氮化镓 (GaN) FET 或 N 通道 MOSFET。...

2025-03-01 标签：GaN MOSFET驱动 38 0

全日程更新丨2025英飞凌宽禁带开发者论坛向你发出邀请

英飞凌全球宽禁带开发者论坛连续多年举办，汇集了来自碳化硅SiC和氮化镓GaN领域的专家，更有一个来自中国客户的特邀报告。2025年3月11日北京时间下午...

2025-02-27 标签：英飞凌氮化镓 GaN 81 0

罗姆EcoGaN产品GaN HEMT被村田AI服务器电源采用

全球知名半导体制造商ROHM Co., Ltd.（以下简称“罗姆”）的650V耐压、TOLL封装的EcoGaN产品GaN HEMT，被先进的日本电子元器...

2025-02-26 标签：GaN HEMT 罗姆 120 0

纳微半导体APEC 2025亮点抢先看

近日，唯一全面专注的下一代功率半导体公司及下一代氮化镓（GaN）功率芯片和碳化硅（SiC）技术领导者——纳微半导体 (纳斯达克股票代码: NVTS) 宣...

2025-02-25 标签：SiC APEC GaN 273 0

TI DRV7308具有保护和电流检测功能的650V、205mΩ三相集成式 GaN 智能电源模块 (IPM)技术文档

DRV7308 是一款三相智能电源模块 (IPM)，其中包含 205mΩ、650V 增强型氮化镓 (GaN)，用于驱动高达 450V 直流电源轨的三相 ...

2025-02-20 标签：电流检测电源模块 GaN 384 0

Nexperia推出全新CCPAK GaN FET产品组合

Nexperia（安世半导体）融合其近20年来在高质量、高稳健性SMD封装方面的丰富生产经验，推出全新CCPAK GaN FET产品组合。基于此久经考验...

2025-02-19 标签：封装 GaN Nexperia 129 0

香港科技大学陈敬课题组揭示GaN与SiC材料的最新研究进展

香港科技大学电子与计算机工程系陈敬教授课题组，在第70届国际电子器件大会（IEEE International Electron Devices Mee...

2025-02-19 标签：SiC GaN 125 0

ROHM携手ATX量产650V耐压GaN HEMT

全球知名半导体制造商ROHM近日宣布，其采用TOLL(TO-LeadLess)封装的650V耐压GaN HEMT(高电子迁移率晶体管)“GNP2070T...

2025-02-18 标签：半导体封装 GaN 176 0

AMEYA360代理：罗姆650V耐压GaN HEMT新增小型、高散热TOLL封装

全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)已将TOLL(TO-LeadLess)封装的650V耐压GaN HEMT *1 “GNP2070TD-...

2025-02-17 标签：封装 GaN 102 0

闻泰科技荣获GaN年度优秀产品奖

近日，在深圳举办的行家说第三代半导体年会——碳化硅&氮化镓产业高峰论坛上，闻泰科技半导体业务凭借其卓越的创新产品“针对工业和可再生能源应用的CCPAK封...

2025-02-17 标签：GaN 可再生能源闻泰科技 169 0

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型号	描述	数据手册	参考价格
GS61008P-MR	增强型硅基氮化镓功率晶体管 VDS=100V ID=90A MODULE_7.55X4.59MM_SM		获取价格

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5G网络作为最新一代的移动互联网通讯技术，相对4G而言，网速更快；5G手机是指使用第五代通信系统的智能手机。相对4G手机，5G手机有更快的传输速度，低时延，通过网络切片技术，拥有更精准的定位。
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无线收发模块JF24D整合了高频键控（GFSK）收发电路的功能，以特小体积更低成本实现高速数据传输的功能。JF24D的传输速率为1M，具有81个通道可任意设置而互不干扰。可在拥挤的ISM 频段中达到稳定可靠的短距离数据传输。
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三星集团是韩国最大的企业集团，包括85个下属公司及若干其他法人机构，在近70个国家和地区建立了近300个法人及办事处，员工总数20余万人，业务涉及电子、金融、机械、化学等众多领域。
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太赫兹是一种新的、有很多独特优点的辐射源；太赫兹技术是一个非常重要的交叉前沿领域，给技术创新、国民经济发展和国家安全提供了一个非常诱人的机遇可能引发科学技术的革命性发展。
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蓝牙5.0是由蓝牙技术联盟在2016年提出的蓝牙技术标准，蓝牙5.0针对低功耗设备速度有相应提升和优化，蓝牙5.0结合wifi对室内位置进行辅助定位，提高传输速度，增加有效工作距离。
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WiGig（Wireless Gigabit，无线千兆比特）是一种更快的短距离无线技术，可用于在家中快速传输大型文件。
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乐鑫信息科技（上海）有限公司 (Espressif Systems (Shanghai) Pte., Ltd.) 总部位于上海张江高科技园区，是一家先进、专业的无晶圆半导体公司，致力于研发设计低功耗的 Wi-Fi 和蓝牙系统级芯片，提供移动通讯和物联网解决方案。
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LoRaWAN基于LoRa远距离通信网络设计的一套通讯协议和系统架构，如果按协议分层来说LoRaWAN就是MAC层，LoRa是物理层。
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5G毫米波技术是5G应用中一项重要的基础技术，毫米波指的是一种特殊电磁波，波长为1毫米到10毫米，波动频率为30GHz-300GHz。相对于6GHz以下的频段，毫米波具有大带宽、低空口时延和灵活弹性空口配置等独特优势，可满足未来无线通信对系统容量、传输速率和差异化应用等方面的需求。
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