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HMC535LP4/535LP4E锁相振荡器,采用SMT封装,14.7-15.4GHz技术手册
HMC535LP4(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC PLO。 由于振荡器的单芯片结构,PLO的相位噪声性能在温度、...
HMC792ALP4E 0.25 dB LSB GaAs MMIC 6位数字衰减器,采用SMT封装,DC- 6GHz技术手册
HMC792ALP4E是一款采用小型无引脚SMTA封装的宽带6位GaAs集成电路数字衰减器。这款可变衰减器在靠近直流工作时集成了片内交流接地电容,适用于...
HMC624A 0.1GHz至6.0GHz、0.5 dB LSB、6位、GaAs数字衰减器技术手册
HMC624A是一款6位数字衰减器,以0.5 dB步长提供31.5 dB的衰减控制范围。 HMC624A在100 MHz至6.0 GHz的指定频率...
HMC542BLP4E 0.5dB LSB GaAs MMIC 6位数字串行控制衰减器,DC- 4GHz技术手册
HMC542BLP4E是一款宽带6位GaAs IC数字衰减器,带有CMOS兼容的串行至并行转换驱动,采用低成本无引脚表贴封装。 该串行控制数字衰减器采用...
HMC468ALP3E 1 dB LSB GaAs MMIC 3位数字正电压控制衰减器,DC-6GHz技术手册
HMC468ALP3E是一款宽带3位GaAs IC数字衰减器,采用低成本无引脚表面贴装封装。 在DC到6.0 GHz频率下工作,插入损耗低于1 dB典型...
HMC425A 0.5 dB LSB GaAs MMIC 6位数字正控制衰减器,2.2-8.0GHz技术手册
HMC425ALP3E均为宽带6位GaAs IC数字衰减器,采用低成本无引脚表贴封装。工作频率范围2.2 GHz到8.0 GHz,插入损耗低于4.5 d...
HMC424ACHIPS 0.5 dB LSB GaAs MMIC 6位数字衰减器技术手册
HMC424A芯片是一款宽带、6位、砷化镓(GaAs)、数字衰减器单芯片微波集成电路(MMIC),以0.5 dB步长提供31.5 dB的衰减控制范围。
HMC306AMS10/306AMS10E 0.5 dB LSB GaAs MMIC 5位数字衰减器技术手册
HMC306AMS10和HMC306AMS10E均为通用型宽带5位正控制GaAs IC数字衰减器,采用10引脚MSOP 表贴塑料封装。 该器件的频率范围...
HMC1095LP4E 0.5 dB LSB GaAs MMIC 6位75 Ohms数字衰减器技术手册
HMC1095LP4E是一款宽带6位GaAs IC数字衰减器,采用低成本无铅SMT封装。 多功能数字衰减器采用针对接近直流操作的片外交流接地电容,使其适...
HMC472ALP4/472ALP4E 0.5dB LSB GaAs MMIC 6位数字正电压控制衰减器技术手册
HMC472ALP4E是一款宽带6位GaAs IC数字衰减器,采用低成本无引脚表面贴装封装。 这款每位单个正电压控制线路的数字衰减器采用片外AC接地电容...
TC1201低噪声和中功率GaAs场效应晶体管规格书立即下载
类别:IC datasheet pdf 2025-03-17 标签:场效应晶体管GaAs 94 0
MAAL_010528高性能X波段GaAs LNA规格书立即下载
类别:IC datasheet pdf 2023-07-19 标签:LNAGaAs 281 0
类别:IC datasheet pdf 2023-07-06 标签:LNAGaAs噪声放大器 346 0
MAAL-010528高性能X波段GaAs LNA规格书立即下载
类别:IC datasheet pdf 2023-07-04 标签:LNAGaAs 304 0
HMC742ALP5E 0.5dB LSB GaAs MMIC 6位数字可变增益放大器,采用SMT封装技术手册
HMC742A是一款数字控制可变增益放大器,工作频率范围为70 MHz至4 GHz,可通过编程提供-19.5 dB衰减至12 dB增益,步进为0.5 d...
聚灿光电宣布扩建Mini/Micro LED芯片研发及制造项目
3月6日,聚灿光电发布公告,宣布拟变更“Mini/Micro LED芯片研发及制造扩建项目”的部分募集资金(共计8亿元)用途,用于新项目“年产240万片...
影响二极管开关速度的主要因素是什么 二极管开关是电子设备领域中不可或缺的一种元件,它具有快速切换衰减电压的特性。二极管开关速度影响了整个电路的性能,包...
GaAs基VCSEL已广泛应用于三维成像、无人驾驶、物联网、数据通讯等领域,同时在光电对抗、激光雷达、航空航天等高精尖领域也发挥着巨大的作用和潜能。
军备芯片和商用芯片的区别 芯片14nm对比5nm差距在哪里?
其实就目前的情况(截止2022年)而言,现实和他们想的相反,在很多军工领域,我国现役军备里的芯片反而比美帝要先进,实际情况大概率是美国战斗机用90nm芯...
浅析Tower硅光子平台结合光纤与硅芯片连接技术及量子点激光器
Bump-ready晶圆将Tower的PH18硅光子技术与允许同时将大量光纤连接到芯片的功能相结合——显著简化了组装成用于数据中心和电信网络的最终高速数...
HMC624A是一款6位数字衰减器,以0.5 dB步长提供31.5 dB的衰减控制范围。 HMC624A在100 MHz至6.0 GHz的指定频率范围内...
为了实现更高的工作频率和更低的功耗,硅基 SiGe 射频 CMOS 和 BiCMOS 工艺技术在21 世纪初得到较为广泛的研究。
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