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基于LMG3410R070 UCD3138A 和 UCD7138的HV GaN FET的24V/500W谐振转换器参考设计
此参考设计是高频谐振转换器参考设计。使用谐振频率为 500 kHz 的谐振电路,输出电压调节至 24 V,输入电压范围为 380 V 至 400 V。此...
用户指南#LMG34XX-BB-EVM适用于 LMG341x 系列的 LMG34xx GaN 系统级评估主板
LMG34XX-BB-EVM 是一款易于使用的分线板,可将任何 LMG341x 半桥板(如 LMG3410-HB-EVM)配置为同步降压转换器。通过提供...
PMP21842 采用 HV GaN FET 的 12V/500W谐振转换器参考设计
此高频谐振转换器参考设计使用谐振频率为 500kHz 的谐振电路,在 380V 至 400V 输入电压范围内调节 12V 输出。使用我们的高压 GaN ...
EVM用户指南:LMG2650EVM-100 LMG2650半桥子卡评估模块
LMG2650EVM-100 旨在提供一个快速简便的平台,用于评估任何半桥拓扑中的 TI 集成 GaN 器件。该板设计为使用板底部边缘的 6 个电源引脚...
近日,泰克科技与远山半导体的合作再次取得了突破性进展,双方共同对远山半导体最新推出的1700V GaN(氮化镓)器件进行了全面深入的测试与评估,取得了令...
Innergie的AC适配器通过搭载可提高电源系统效率的罗姆EcoGaN“GNP1150TCA-Z”
全球知名半导体制造商ROHM Co,Ltd(以下简称“罗姆”)的650V GaN器件(EcoGaN),被台达电子(Delta Electronics,I...
Tagore Tech和Inventchip联合开发一款500W电源参考设计解决方案
Tagore Technology 与 Inventchip Technology(上海瞻芯电子科技有限公司,简称:瞻芯电子)共同参加业界知名的2024...
NexGen垂直GaN半导体 预计2023年第三季度全面生产
该公告涉及的垂直器件包括NexGen 2 月发布的700V 和 1200V样品。
氮化镓 (GaN) 功率芯片行业领导者纳微半导体(纳斯达克股票代码:NVTS)近日宣布,其采用GaNSense 技术的智能GaNFast功率芯片已升级以...
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