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标签 > GaN技术

GaN技术

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gan技术技术

如何使用GaN HEMT抽取Self-heating效应和Trapping效应模型参数?

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氮化镓(GaN)技术在5G基站、卫星通信、国防系统和其他应用中的迅速普及提高了晶体管建模的门槛。

2024-05-19 标签:晶体管ASM氮化镓 950 0

一款集成E-GaN的高频高性能准谐振模式交直流转换功率开关—U8722

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氮化镓充电器是一种新型的快充技术,在充电速度、安全性做到了突破。

2024-04-09 标签:充电器氮化镓驱动电流 735 0

高频率高性能CCM同步整流芯片U7612介绍

同步整流芯片U7612是一款高频率、高性能、CCM 同步整流开关,可以在GaN系统中替代肖特基整流二极管以提高系统效率。

2023-09-06 标签:MOSFET整流二极管肖特基二极管 1757 0

激光功率对金刚石缺陷产生的原因及反应机理简析

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具有通孔结构的金刚石在高精度引线成型及高功率微波器件散热领域, 具有良好的应用前景。

2023-08-12 标签:激光器XPS激光功率计 2043 0

Si基GaN功率器件制备技术与集成

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宽禁带半导体GaN能够在更高电压、更高频率以及更高的温度下工作,在高效功率转换,射频功放,以及极端环境电子应用方面具有优异的材料优势。

2023-08-09 标签:MOSFET功率半导体碳化硅 862 0

GaN与SiC功率器件的特点 GaN和SiC的技术挑战

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 SiC和GaN被称为“宽带隙半导体”(WBG),因为将这些材料的电子从价带炸毁到导带所需的能量:而在硅的情况下,该能量为1.1eV,SiC(碳化硅)为...

2023-08-09 标签:驱动器SiC氮化镓 1041 0

衬底工程对氮化物LED的影响研究

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近日,“2023功率与光电半导体器件设计及集成应用论坛”于西安召开。论坛由第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)指导,西安交通大学、极智半导体产业...

2023-08-08 标签:led激光器发光二极管 371 0

基于ε-Ga2O3的日盲紫外探测器件研究

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一种能够在日光下工作而不受可见光干扰的紫外光探测器。日盲紫外探测器对可见光具有很低的响应,在环境监测、太阳辐射测量、航天科学、太阳能电池优化和军事应用等...

2023-08-04 标签:太阳能电池探测器MOCVD 1814 0

PI氮化镓的质量与可靠性介绍

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氮化镓(GaN) 是一种宽禁带的直接带隙半导体,它有着很宽的直接带隙,很高的击穿场强,很高的热导率和非常好的物理、化学稳定性。正因其各方面都有着非常好的...

2023-07-27 标签:氮化镓半导体芯片GaN技术 1635 0

表面终端金刚石场效应晶体管的研究

表面终端金刚石场效应晶体管的研究

金刚石不仅具有包括最高的硬度、极高的热导率、达5.5eV的宽带隙、极高的击穿电场和高固有载流子迁移率等多种卓越性质

2023-07-25 标签:传感器MOSFETFET 1248 0

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gan技术资讯

贸泽电子携手ADI与Bourns发布GaN技术电子书

专注于新品引入 (NPI) 领域的知名代理商贸泽电子 (Mouser Electronics) 近日宣布了一项重要合作成果——与Analog Devic...

2024-12-11 标签:电子元器件ADI贸泽电子 266 0

安建半导体获得超过2亿元人民币的C1轮融资

安建半导体C1轮融资圆满收官,公司获得超过2亿元人民币的融资。本轮融资由北京国管顺禧基金及中航投资领投,龙鼎投资、一元航天及万创投资跟投。

2024-04-08 标签:MOSFET功率半导体GaN技术 528 0

Allegro推出高带宽电流传感器技术,帮助实现高性能电源转换

为帮助业界更好地利用GaN和SiC等宽带隙技术,在电动汽车、清洁能源解决方案和数据中心等应用中实现更高性能电源转换,Allegro宣布推出新型高带宽电流...

2024-03-04 标签:电源转换allegroSNR 688 0

垂直GaN技术新突破 新变局

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目前,以传统半导体硅(Si)为主要材料的半导体器件仍然主导着电力电子功率元件。

2024-01-25 标签:led照明半导体氮化镓 1163 0

英飞凌联手日本欧姆龙推出了一款集成GaN技术的V2X充电桩

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近日,英飞凌联手日本欧姆龙推出了一款集成GaN技术的V2X 充电桩。

2024-01-19 标签:英飞凌新能源汽车欧姆龙 1162 0

深紫外透明导电Si掺杂氧化镓异质外延薄膜研究

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近年来,氧化镓(Ga2O3)半导体受到世界各国科研和产业界的普遍关注。氧化镓具有4.9 eV的超宽禁带,高于第三代半导体碳化硅(SiC)的3.2 eV和...

2023-09-11 标签:新能源汽车光电探测器碳化硅 690 0

聚灿光电LED芯片龙头厂商再度加码MLED

9月4日,聚灿光电公布向特定对象发行A股股票上市公告书,确定本次定增募资发行价格9.2元/股,发行股数1.18亿股,募集资金总额约10.86亿元。

2023-09-11 标签:LED芯片GaN技术Micro LED 498 0

泰高技术携手镓宏半导体签署GaN领域的全面战略合作协议

近日,深圳市泰高技术与深圳镓宏半导体有限公司达成了一项全面战略合作协议,旨在增强企业的可持续发展能力,提升产品竞争力。

2023-09-08 标签:半导体氮化镓射频芯片 1118 0

功率器件的材料演进之路 氧化镓商业化愈发临近

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如今,我们已经无法想象没有电的生活了。我们生活的各个方面越来越依赖于电力。而在电力的生产、分发和使用过程中,功率转换起着至关重要的作用。

2023-08-09 标签:探测器功率半导体碳化硅 418 0

SNOM对GaN基发光芯片的高空间分辨光学表征

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近日,“2023功率与光电半导体器件设计及集成应用论坛”于西安召开。论坛由第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)指导,西安交通大学、极智半导体产业...

2023-08-04 标签:耦合器LSPGaN技术 2113 0

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