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在现代芯片封装技术中,"bump" 和 “micro bump” 是用于不同封装类型的关键组件,尤其在3D集成技术中起到至关重要的作...
正如我们在最初涉足Celestial的产品战略时所讨论的那样,该公司的零件分为三大类:小芯片、中介层和英特尔EMIB或台积电CoWoS的光学旋转,称为OMIB。
什么是HBM3E内存?Rambus HBM3E/3内存控制器内核
Rambus HBM3E/3 内存控制器内核针对高带宽和低延迟进行了优化,以紧凑的外形和高能效的封装为人工智能训练提供了最大的性能和灵活性。
在近日举行的SK AI峰会上,韩国存储巨头SK海力士向全球展示了其创新成果——全球首款48GB 16层HBM3E产品。这一产品的推出,标志着SK海力士在...
三星电子公司近日宣布了一项重大投资决策,计划扩建其位于韩国忠清南道的半导体封装设施,以提高高带宽存储器(HBM)的产量。这一举措标志着三星在HBM市场领...
美光是内存业务的主要参与者之一,包括分别用于SSD和RAM的NAND和DRAM。 “我们三巨头,海力士、我们、三星,都在花费大量的精力和财力打造H...
2025年DRAM展望:位元产出大增25%,HBM成新增长极但供应紧张
经历2024年前三个季度的库存消化和价格回升后,DRAM产业在第四季度的价格动能开始减弱。TrendForce集邦咨询的资深研究副总吴雅婷指出,由于部分...
2024年,AI应用市场的持续升温推动了存储器需求的不断攀升,高性能HBM和大容量闪存产品备受市场青睐。然而,与此同时,全球经济发展形势仍不明朗,消费电...
英伟达加速Rubin平台AI芯片推出,SK海力士提前交付HBM4存储器
日,英伟达(NVIDIA)的主要高带宽存储器(HBM)供应商南韩SK集团会长崔泰源透露,英伟达执行长黄仁勋已要求SK海力士提前六个月交付用于英伟达下一代...
HBM4需求激增,英伟达与SK海力士携手加速高带宽内存技术革新
随着生成式AI技术的迅猛发展和大模型参数量的急剧增加,对高带宽、高容量存储的需求日益迫切,这直接推动了高带宽内存(HBM)市场的快速增长,并对HBM的性...
韩国大型财团SK集团的董事长崔泰源在周一的采访中透露,英伟达的首席执行官黄仁勋已向SK集团旗下的存储芯片制造巨头SK海力士提出要求,希望其能提前六个月推...
近日,韩国三星电子公司透露了一个引人瞩目的消息,有可能在不久的将来向美国的人工智能巨头英伟达提供其先进的高带宽存储器(HBM)。这一消息无疑为科技界带来...
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