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GaN HEMT可靠性测试：为什么业界无法就一种测试标准达成共识

标签：GaN HEMT 3522 0

基于HEMT的ADS功率放大器软件仿真

标签：HEMT 2780 1

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CG2H80015D氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)规格书立即下载

类别：IC datasheet pdf 2024-09-04 标签：晶体管氮化镓 HEMT 119 0

QPD1026L采用SiC HEMT的1300W(PsdB)分立GaN器件管英文手册立即下载

类别：IC datasheet pdf 2024-07-31 标签：GaN HEMT 80 0

ATF-541M4低噪声增强模式伪HEMT微型无引线封装产品简介立即下载

类别：电子资料 2023-07-20 标签：封装 LNA HEMT 274 0

TP65H035G4WS场效应管英文手册立即下载

类别：IC datasheet pdf 2022-03-31 标签：场效应管 HEMT 844 0

FHX76LP低噪声高电子迁移率晶体管的详细数据手册免费下载立即下载

类别：IC中文资料 2018-08-14 标签：封装 DBS HEMT 1383 0

RFPP2870混合推挽放大器的详细数据手册免费下载立即下载

类别：IC中文资料 2018-07-26 标签：放大器 GaAs HEMT 700 0

QPD2731非对称Doherty功率放大器的详细资料免费下载立即下载

类别：电源技术 2018-07-31 标签：放大器 Doherty HEMT 945 0

不同的微波从栅极注入HEMT的影响立即下载

类别：射频无线论文 2017-11-06 标签：微波 HEMT 806 0

使用ADS系统设计35GHz HEMT压控振荡器立即下载

类别：模拟数字论文 2010-05-17 标签：ADS HEMT 927 0

hemt资讯

GaN HEMT正加速成为储能市场主流

电子发烧友网报道（文/黄山明）氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）作为新一代的半导体材料，因其禁带宽度大、临界击穿电场高、饱和电子漂移速度高等特...

2024-08-27 标签：GaN 储能 HEMT 3815 0

使用GaN HEMT设备最大化OBCs的功率密度

随着电动汽车（EVs）的销售量增长，整车OBC（车载充电器）的性能要求日益提高。原始设备制造商正在寻求最小化这些组件的尺寸和重量以提高车辆续航里程。因此...

2023-12-17 标签：电动汽车 GaN HEMT 994 0

GaN HEMT为什么不能做成低压器件

GaN HEMT为什么不能做成低压器件 GaN HEMT（氮化镓高电子迁移率晶体管）是一种迅速崭露头角的高频功率器件，具有很高的电子迁移率、大的电子饱...

2023-12-07 标签：晶体管 GaN HEMT 850 0

利用 HEMT 和 PHEMT 改善无线通信电路中的增益、速度和噪声

2023-12-07 标签：无线通信晶体管 HEMT 894 0

CGD与群光电能科技和剑桥大学技术服务部共同组建GaN生态系统

拥有系统和应用、研究和设备方面的专业知识，可生产创新、高性能的基于 GaN 的笔记本电脑和数据中心电源产品英国剑桥 - Cambridge GaN...

2023-11-06 标签：smps GaN HEMT 668 0

AlGaN/GaN结构的氧基数字蚀刻

宽带隙GaN基高电子迁移率晶体管(HEMTs)和场效应晶体管(fet)能够提供比传统Si基高功率器件更高的击穿电压和电子迁移率。常关GaN非常需要HEM...

2023-10-10 标签：蚀刻 GaN HEMT 711 0

CGD 将首次亮相中国 PCIM Asia（上海国际电力元件、可再生能源管理展览会），推出易用可靠的 ICeGaN GaN HEMT 系列

诚邀您于 8 月 29 至 31 日莅临上海新国际博览中心参观 2G18 展位英国剑桥 - Cambridge GaN Devices (CGD) 是...

2023-08-09 标签：氮化镓 HEMT 401 0

CGD 与高品质服务领航者 DigiKey 达成全球分销协议

为建立 GaN 生态系统造福全球工程师迈出重要一步英国剑桥 - Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家无晶圆厂环保科技半导体公...

2023-06-30 标签：氮化镓 CGD HEMT 651 0

ROHM具有业界高性能的650V耐压GaN HEMT

全球知名半导体制造商ROHM(以下简称“ROHM”)将650V耐压的GaN(Gallium Nitride：氮化镓)HEMT*1“GNP1070TC-Z...

2023-05-18 标签：GaN HEMT Rohm 730 0

Cambridge GaN Devices 推出第二代 ICeGaN ICs，在同类产品中拥有出色的稳健性、易用性和高效率

英国剑桥 - Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家无晶圆厂环保科技半导体公司，开发了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造...

2023-05-15 标签：MOSFET GaN HEMT 1079 0

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加速度传感器是一种能够测量加速度的传感器。通常由质量块、阻尼器、弹性元件、敏感元件和适调电路等部分组成。
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OBD是英文On-Board Diagnostic的缩写，中文翻译为“车载诊断系统”。这个系统随时监控发动机的运行状况和尾气后处理系统的工作状态，一旦发现有可能引起排放超标的情况，会马上发出警示。
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尽管最初傅里叶分析是作为热过程的解析分析的工具，但是其思想方法仍然具有典型的还原论和分析主义的特征。“任意”的函数通过一定的分解，都能够表示为正弦函数的线性组合的形式，而正弦函数在物理上是被充分研究而相对简单的函数类，这一想法跟化学上的原子论想法何其相似！
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角度传感器，顾名思义，是用来检测角度的。它的身体中有一个孔，可以配合乐高的轴。当连结到RCX上时，轴每转过1/16圈，角度传感器就会计数一次。
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凡是电流方向不随时间变化的电流称为直流电压。电流值可以全为正值，也可以全为负值。在直流电流中又可分为两种：稳恒直流和脉动直流。直流输电技术已经由简单的端对端工程朝着大规模多端输电的方向发展，这些工程将是未来直流电网的组成部分，将相同电压等级的直流工程连接成网远比不同电压等级下的独立工程更经济、便捷。
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buck是降压型电路，boost是升压型电路，可以分开单独使用，buck-boost电路就是把2种电路合在一起，可升可降。buck-boost拓扑电路可以实现升降压功能，常见的buck-boost电路有两种，第一种是输入与输出电压极性相反，只需采用一个开关管和二极管。另外一种是采用两个开关管和两个二极管，可实现同极性电压升降压功能。
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