L82C37A

L82C37A简介

　　L82C37A采用2.0μm硅栅CMOS全离子注入工艺制造。衬底材料为N型硅，晶向为〈100〉，电阻率为6～9Ω.cm。

　　L82C37A主要功能有以下七点：

　　（1）该电路有四个独立DMA通道；

　　（2）每个通道的DMA请求都可分别允许和禁止；

　　（3）每个通道的DMA请求优先权具有固定方式和循环方式；

　　（4）每个通道一次传送的最大长度64k字节的数据，可在存储器与外设间进行传送，也可在存储器的两个区间进行传送；

　　（5）有四种DMA传输方式：①单字节传输方式；②数据块传输方式；③请求传输方式；④ 级连方式。在每种方式下，都能在接收外设的请求信号DREQ后，向外设发送响应信号DACK后就可以占用总线，进行DMA传送。每传送一个字节，修改一次地址指针，当规定传送的字节数送完时，发出终端计数脉冲TC，结束传送或重新初始化；

　　（6）允许外设用EOP信号结束DMA传送或重新初始化；

　　（7）L82C37A可以级联，任意扩展通道数。