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LDMOS(laterally-diffused metal-oxide semiconductor)是在高压功率集成电路中常采用高压LDMOS满足耐高压、实现功率控制等方面的要求,常用于射频功率电路。
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LDMOS,全称为Lateral Double-diffused Metal Oxide Semiconductor(侧向双扩散金属氧化物半导体),是一...
MAX1385/MAX1386封装引脚图 应用电路图及其特性概述
MAX1385/MAX1386封装引脚图 应用电路图及其特性概述 MAX1385是一款高性能、低功耗的模拟放大器,可以用于各种应用,如汽车音频、家庭影院...
高功率宽带放大器的设计是一件非常有挑战性的工作,工程师需要在多个相互对立的设计参数之间进行折中。对于一个放大器用户来说,不论是初始投资还是以后的运行成本...
蜂窝放大器解决方案有许多不同的需求,例如不同的频段和不同的功率水平。本研讨会将讨论恩智浦针对不同应用的不同射频功率解决方案,包括PA的关健考虑点(从客户...
LDMOS( Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor)横向扩散金属氧化物半导体)是为900MHz蜂窝电...
2017-12-08 标签:ldmos 6.7万 0
针对LDMOS宽带功率放大器匹配电路设计, 提出了一种快速、有效的方法。采用多节并联导纳匹配法得出宽带匹配电路的初始值后, 利用ADS软件对匹配网络的S...
BLL9G1214L-600/BLL9G1214LS-600 LDMOS L波段雷达功率晶体管数据表立即下载
类别:IC datasheet pdf 2024-07-22 标签:晶体管LDMOS 85 0
BLL9G1214L-600/BLL9G1214LS-600雷达功率晶体管数据表立即下载
类别:IC datasheet pdf 2024-07-22 标签:雷达LDMOS功率晶体管 117 0
MRF300AN/MRF300BN射频功率LDMOS晶体管规格书立即下载
类别:IC datasheet pdf 2023-07-28 标签:晶体管射频功率LDMOS 276 0
类别:IC datasheet pdf 2023-06-15 标签:LDMOSMMIC 233 0
罗彻斯特为Ampleon的ICN8系列LDMOS射频功率晶体管延长市场寿命
罗彻斯特电子与Ampleon合作 支持授权解决方案 Ampleon创办于2015年,前身是NXP的射频功率业务部门,在射频功率领域拥有50多年的领导地位...
LDMOS场效应管,即横向扩散金属氧化物半导体器件。随着对击穿电压要求的提高,对LDMOS场效应管中场板要求也高。
来源:RF技术社区 5G的快速部署,使得在基站中大量使用的功率放大器(PA,简称功放)芯片及其他射频组件的需求持续增长,成为各家射频公司争夺的焦点。 在...
到2025年,整个GaN RF市场将从2019年的7.4亿美元增长到超过20亿美元
报告指出,自 20 年前首款商用产品问世以来,GaN 技术已成为 LDMOS 和 GaAs 在 RF PA 市场中的重要竞争对手。凭借其在 4G LTE...
“现在正处于从LDMOS转到氮化镓的时间窗口,但只有三年。”能讯半导体总经理任勉表示,在氮化镓领域耕耘十二年,能讯半导体迎来关键时间节点,抓住5G基站建...
Ampleon为HF、VHF和ISM应用提供LDMOS RF功率晶体管
Ampleon宣布推出全面广泛的模压塑料(overmoulded plastic, OMP) RF功率晶体管产品组合,采用众所周知的非常稳固LDMOS技术。
恩智浦半导体(NXP Semiconductors N.V.)(纳斯达克代码:NXPI)今日推出BLF188XR – 其XR系列“超耐用” LDMOS ...
恩智浦半导体(NXP Semiconductors N.V.)(纳斯达克:NXPI)近日宣布推出全新Gen8+ LDMOS RF功率晶体管,作为特别关注...
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