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标签 > MOSFET器件
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基于仿真工具对100VN TrenchMOSFET器件设计研究
沟槽(Trench)MOSFET 是一种新型垂直结构的 MOSFET 器件,是从传统平面 MOSFET 结构基础上优化发展而来,Trench MOSFE...
DougBailey指出由于双极型功率器件比MOSFET便宜,一般是2美分左右一个,所以一些设计师为了降低LED驱动成本而使用双极型功率器件,这样会严重...
国星光电SiC-MOSFET器件获得AEC-Q101车规级认证
继1200V/10A SiC-SBD(碳化硅-肖特基二极管)器件获AEC-Q101车规级认证后,近日,国星光电开发的1200V/80mΩ SiC-MOS...
作者能够使用如此多的研究工具,直接得益于意法半导体和CNR-IMM之间的牢固和深入的合作。因此,除了科学成就,IRPS2021年度最佳论文奖也是对这一人...
热度:和当年LED差不多,但技术壁垒,比LED高几个量级; 一句话总结行业国内主流技术方向的各个环节: 1. 硅粉碳粉:不是问题太阳能行业还是做了不少好...
早期的IC使用NMOS技术,因为与CMOS技术相比,NMOS工艺相当简单,价格便宜并且可以将更多设备封装到一个芯片中。英特尔于1971年发布了第一个微处理器。
安森美全新SiC MOSFET器件适用于各种高要求的高增长应用
推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ON),推出另两个碳化硅(SiC) MOSFET系列,扩展了其宽禁...
安世半导体推出采用LFPAK56封装的0.57 mΩ产品,籍此扩展市场领先的低RDS(on) MO,同时优化了安全工作区、漏极电流和栅极电荷。
威世的SiSS12DN 40V N-Channel MOSFET是为提高功率转换拓扑中的功率密度和效率而设计。它们采用3.3x3.3mm紧凑型Power...
总部位于荷兰的分立和 MOSFET 器件及模拟与逻辑 IC领域的专家Nexperia公司今日推出一款全新高质量、高可靠性的MJD 3 A 和 8 A 功...
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