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MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory) 是一种非易失性(Non-Volatile)的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力,以及动态随机存储器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以无限次地重复写入。
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FeRAM,全称Ferroelectric RAM(铁电随机存取存储器),是一种基于铁电材料特性的非易失性存储器技术。它类似于传统的SDRAM(同步动态...
探索存内计算—基于 SRAM 的存内计算与基于 MRAM 的存算一体的探究
本文深入探讨了基于SRAM和MRAM的存算一体技术在计算领域的应用和发展。首先,介绍了基于SRAM的存内逻辑计算技术,包括其原理、优势以及在神经网络领域...
嵌入式闪存及其对应的离片NOR闪存,在非易失性内存领域(即用于持久性或长期数据存储)多年来占据着标准地位。然而,随着工艺技术尺寸缩小至28nm以下,这些...
近日,浙江驰拓科技有限公司在杭州成功举办了B轮融资签约大会。此次大会标志着公司获得了诚通混改基金、诚通国调基金、国调科改基金、国新综改基金、浙江金控、湖...
瑞萨电子公司日前宣布,该公司已开发出用于嵌入式自旋转移矩磁阻随机存取存储器(STT-MRAM)的电路技术,以下简称MRAM)具有快速读写操作的测试芯片。
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