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标签 > NAND芯片
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TBW(Total Bytes Written)是衡量闪存存储器寿命和耐用性的重要指标。但由于写入放大的影响,实际TBW值可能会偏离理论值。
美光232层QLC NAND芯片已量产并出货,推出SSD新品
美光科技近期宣布,其创新的232层QLC NAND芯片已成功实现量产并已开始出货。这一里程碑式的成就标志着美光在NAND技术领域再次取得了显著进步,巩固...
三星宣布量产第九代V-NAND 1Tb TLC产品,采用290层双重堆叠技术
作为九代V-NAND的核心技术,双重堆叠技术使旗舰V8闪存的层数从236层增至290层,主要应用于大型企业服务器及人工智能与云计算领域。据了解,三星计划...
分析师表示:“我们看到NAND芯片价格在第一季度连续上涨超过20%,在某些地区涨幅更大。”研究机构TrendForce近日报告显示,预计2024年第一季...
2024-01-29 标签:人工智能Nand flash英伟达 711 0
2024年DRAM、NAND Flash合约价将如何演绎呢?
存储作为半导体领域最大的一个细分之一,一直以来,它是行情晴雨表。2024年电子存储行情如何呢?
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