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标签 > NAND芯片

NAND芯片

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nand芯片技术

一文详解四大芯片互连技术

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英特尔联合创始人戈登摩尔曾预言,芯片上的晶体管数量每隔一到两年就会增加一倍。

2023-11-14 标签:晶体管芯片封装CMOS图像传感器 1468 0

浅析NAND闪存工艺

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闪存芯片是非挥发存储芯片,广泛用于电子产品,特别是如数码相机、MP3播放器、手机、全球定位系统(GPS)、高端笔记本电脑和平板电脑等移动电子产品的存储应用。

2023-09-11 标签:MOSFET存储器闪存芯片 1565 0

芯片互连在先进封装中的重要性

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英特尔联合创始人戈登摩尔曾预言,芯片上的晶体管数量每隔一到两年就会增加一倍。由于图案微型化技术的发展,这一预测被称为摩尔定律,直到最近才得以实现。

2023-09-07 标签:PCB板存储器倒装芯片 504 0

TTL逆变器和NAND门实验研究

TTL逆变器和NAND门实验研究

自20世纪60年代首次生产出集成逻辑门以来,各种数字逻辑电路技术层出不穷。本次实验将研究晶体管-晶体管逻辑(TTL)电路逆变器(非门)和2输入NAND门配置。

2023-08-28 标签:连接器TTL电路逆变器 858 0

TBW的概念及写入放大系数 如何降低写入放大对存储器的影响

TBW(Total Bytes Written)是衡量闪存存储器寿命和耐用性的重要指标。但由于写入放大的影响,实际TBW值可能会偏离理论值。

2023-07-25 标签:存储器SSD闪存控制器 3211 0

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nand芯片资讯

美光232层QLC NAND芯片已量产并出货,推出SSD新品

美光科技近期宣布,其创新的232层QLC NAND芯片已成功实现量产并已开始出货。这一里程碑式的成就标志着美光在NAND技术领域再次取得了显著进步,巩固...

2024-04-29 标签:SSD美光科技固态硬盘 712 0

三星宣布量产第九代V-NAND 1Tb TLC产品,采用290层双重堆叠技术

作为九代V-NAND的核心技术,双重堆叠技术使旗舰V8闪存的层数从236层增至290层,主要应用于大型企业服务器及人工智能与云计算领域。据了解,三星计划...

2024-04-28 标签:云计算人工智能NAND芯片 716 0

大摩力推NAND存储 直言英伟达“不再是首选”

分析师表示:“我们看到NAND芯片价格在第一季度连续上涨超过20%,在某些地区涨幅更大。”研究机构TrendForce近日报告显示,预计2024年第一季...

2024-01-29 标签:人工智能Nand flash英伟达 711 0

2024年DRAM、NAND Flash合约价将如何演绎呢?

存储作为半导体领域最大的一个细分之一,一直以来,它是行情晴雨表。2024年电子存储行情如何呢?

2024-01-23 标签:半导体DRAMNAND闪存 1171 0

二季度硅片出货面积同比减少10.1%

二季度硅片出货面积同比减少10.1%

半导体行业继续应对各个细分市场的库存过剩问题。

2023-07-30 标签:MOSFET半导体硅晶圆 1136 0

新型氧化铪材料是如何将存储容量提升100倍的

新型氧化铪材料是如何将存储容量提升100倍的

材料工程前沿领域的新研究为计算设备性能的真正提高带来了希望。

2023-07-27 标签:存储器RAM晶体管 501 0

背面供电与DRAM、3D NAND三大技术介绍

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最近有许多正在全球范围内研究和开发的技术,例如晶体管GAA(Gate All around)、背面供电以及3D IC。

2023-07-26 标签:DRAM晶体管NAND闪存 3358 0

全球第一SSD诞生:QLC闪存70年写不死

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SK海力士收购Intel NAND闪存业务重新组建的Solidigm公司非常活跃,最近披露了其近期NAND、SSD规划路线图,预计2023年上半年陆续落地。

2023-07-24 标签:NAND闪存NAND芯片 1298 0

存储价格低迷,三星2023年营业利益率恐跌至12年最低水平

三星电子2023年营业利益率恐时隔12年跌至个位数。

2023-07-07 标签:DRAMCSPNAND芯片 757 0

SIA:4月全球半导体销售喜忧参半

SIA:4月全球半导体销售喜忧参半

全球半导体销售额将在今年出现双位数下滑,并在2024年实现强劲反弹。

2023-06-08 标签:半导体DRAM存储芯片 820 0

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