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国产EDA行业的领军企业芯和半导体,在近日举行的全球半导体设计大会DesignCon 2022上正式发布了新品Hermes PSI。这是一个针对封装与板...
中国,2017年10月12日,全球领先的高性能传感器解决方案供应商艾迈斯半导体公司(ams AG,瑞士股票交易所股票代码:AMS)今天宣布推出具备双线P...
型号 | 描述 | 数据手册 | 参考价格 |
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PS1117-5.0 | 输出类型:固定;输出极性:正;最大输入电压:20V;输出电压:5V;输出电流:1A;电源纹波抑制比(PSRR):60dB@(120Hz); |
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2SD965A-R-T89R | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):30V;集电极电流(Ic):5A;功率(Pd):750mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):230@500mA,2V; |
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DTC113ZCA | 晶体管类型:1个NPN-预偏置;功率(Pd):200mW;集电极电流(Ic):-;集射极击穿电压(Vceo):-;集电极截止电流(Icbo):-;集射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):-;最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo):3V@10mA,0.3V;最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc):300mV@100uA,5V;输出电压(VO(on)@Io/Ii):300mV@10mA,0.5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):33@5mA,5V;输入电阻: |
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MMBT5401 | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):150V;集电极电流(Ic):600mA;功率(Pd):300mW;集电极截止电流(Icbo):50nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@50mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,5V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj); |
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2N7002K |
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