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RF Micro Devices公司(纳斯达克股票代码:RFMD)是全球领先的高性能射频元件和化合物半导体技术的设计者和制造商。RFMD的产品可实现全球移动性,蜂窝手机,无线基础设施,无线局域网络(WLAN),CATV /宽频及航空航天和国防市场提供增强的连接,并支持先进的功能。
校准VNA并做测试Cable的延迟校准。即将Cable连接到VNA后通过校准程序,将其校准到Smith Chart右端开
RF Micro Devices, Inc.公司宣布推出 RF7178 – 整合了四-频段、12级-兼容GSM/GPRS
日前,高性能射频组件以及复合半导体技术设计和制造领域的全球领导者RF Micro Devices, Inc.(Nasda
SGC-6289Z高性能SiGe HBT MMIC放大器的数据手册免费下载
RFMD的SGC-6289Z是一种高性能SiGe HBT MMIC放大器,采用具有有源偏置网络的达林顿结构。有源偏置网络
SXE1089Z高性能的PHEMT MMIC放大器的详细数据手册免费下载
RFMD的SXE1089Z是一个高性能的PHEMT MMIC放大器,它利用了专利的自偏置达林顿拓扑结构,内置在一个低成本
RFSA2514串行控制数字步进衰减器的详细数据手册免费下载
RFMD的RFSA2514是一个5位数字阶跃衰减器(DSA),它在整个15.5dB增益控制范围内具有高线性,在0.5dB
CGB-1089Z高性能InGaP HBT MMIC放大器的详细数据手册免费下载
RFMD的CGB-1089Z是一种高性能InGaP HBT MMIC放大器,采用达林顿结构,具有75Ω有源偏置网络。有源
SGC2363Z高性能SiGe HBT MMIC放大器的详细数据手册免费下载
RFMD的SGC2363Z是一种高性能SiGe HBT MMIC放大器,采用达林顿结构,具有专利有源偏置网络。有源偏置网
SGC4363Z高性能的SiGe HBT MMIC放大器的详细数据手册免费下载
RFMD的SGC4363Z是一个高性能的SiGe HBT MMIC放大器,利用达林顿配置和专利有源偏置网络。有源偏置网络
SGC4463Z高性能的SiGe HBT MMIC放大器详细数据手册免费下载
RFMD的SGC4463Z是一个高性能的SiGe HBT MMIC放大器,利用达林顿配置和专利有源偏置网络。有源偏置网络
在中国的公司:威讯联合半导体(北京)有限公司
RF Micro Devices公司(纳斯达克股票代码:RFMD)是全球领先的高性能射频元件和化合物半导体技术的设计者和制造商。RFMD的产品可实现全球移动性,蜂窝手机,无线基础设施,无线局域网络(WLAN),CATV /宽频及航空航天和国防市场提供增强的连接,并支持先进的功能。RFMD确认其多样化的半导体技术以及RF系统专业技能,是世界领先的移动设备,客户端和通讯设备制造商的首选供应商。
总部设在 北卡罗来纳州格林斯博罗,RFMD是ISO 9001 - ISO 14001认证的全球工程,设计,销售和服务设施的制造商。RFMD是在纳斯达克全球精选市场交易代码为RFMD。
RFMD是一家基于设计、开发及生产射频集成电路元件的美国公司。这些产品用于无线通讯的射频集成电路放大装置(RFICs)和信号处理传输设备。公司主要为手机生产备件,目前RFMD是全球主要的功频放大器的供货商。 公司还同时生产用于无线基础设施、有线电视调制解调器、个人通讯系统及双向数据寻呼机的元备件,并致力于开拓基站及地方无线局域网(WLAN)的市场。
RFMD精通广泛应用于射频领域的多种处理技术,是生产砷化镓双极晶体管,或称作是GaAs HBT的主要厂家。RFMD还投资半导体设备的某些领域,以确保其在硅(如锗化硅)加工方面占有领先地位。RFMD公司生产一系列无线应用产品,如功率放大器、混频器、调节器、低噪音功率放大器、接收机、干扰器及无线电收录器等, RFMD可提供全方位的射频集成电路放大设备以满足客户需要。
RF Micro Devices, Inc.公司宣布推出 RF7178 – 整合了四-频段、12级-兼容GSM/GPRS的功率放大器、一个pHEMT天线...
原告PA巨头RFMD控告唯捷创芯侵犯多项技术秘密,并要求被告唯捷创芯销毁所有侵权产品的技术资料、半成品、产品、电子文档等;赔偿原告人民币7100万元。
RFMD的POLARIS 3TOTAL RADIO解决方案出炉
日前,RF Micro Devices, Inc.公司宣布,该公司将在巴塞罗那世界3GSM大会上推出POLARIS 3TOTAL RADIO解决方案。R...
日前,高性能射频组件以及复合半导体技术设计和制造领域的全球领导者 RF Micro Devices, Inc.(Nasdaq GS 股市代号:RFMD)...
RF MICRO DEVICES宣布扩展扩展 PowerSmart 产品系列
西班牙、巴塞罗那 , 2012 年 2 月 28 日 日前,高性能射频组件以及复合半导体技术设计和制造领域的全球领导者 RF Micro Devices...
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TriQuint中国区总经理熊挺先生特别强调,需要澄清一点:TriQuint与RFMD公司此次是50%—50%的合并,而非收购一说。双方的合并可以说是强...
射频领域传来最新消息:RFMD和TriQuint以全股票交易的形式合并新公司。外界大部分人认为此次交易是RFMD以大约16亿美元收购了TriQuint。...
RFMD发表SPDT RF开关 RFSW6124 ,具有对称设计以达到卓越的隔离。此砷化镓(GaAs) pHEMT 开关的典型应用包括蜂巢式基地台和其他...
型号 | 描述 | 数据手册 | 参考价格 |
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XD010-42S-D4F | IC AMP GSM 869MHZ-894MHZ MODULE |
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VCO793-750T | VCO 750MHZ 2.2-20V 12.7X12.7MM |
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VCO790-600T | VCO 600MHZ 0.5-20V 12.7X12.7MM |
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VCO790-2300T | VCO 2300MHZ 0.5-4.5V 12.7X12.7MM |
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VCO790-1500T | VCO 1500MHZ 0.5-20V 12.7X12.7MM |
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