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碳化硅肖特基二极管技术演进解析

标签：PFC SBD 碳化硅 1367 0

反激式开关电源二次侧输出电路整流二极管分析

标签：开关电源整流二极管 SBD 1294 0

这个FRD的快和SBD的快差别是什么呢？如何选择呢？

标签：CMOS 肖特基二极管 SBD 1298 0

肖特基二级管有什么作用？

标签：SBD 二级管华强芯城 1875 3

SiC-SBD的产品阵容支持车载的650V/1200V、5A～40A

标签：SBD SiC 2013 0

肖特基势垒二极管的特征

标签：肖特基二极管 SBD 1711 0

SiC-SBD关于可靠性试验

标签：SBD SiC 半导体元器件 3005 0

功率元器件

标签：二极管 MOSFET SBD 2403 0

SiC-SBD的特征以及与Si二极管的比较

标签：二极管 SBD 4101 0

使用SiC-SBD的优势

标签：二极管 SBD SiC 3830 0

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类别：电子资料 2022-09-23 标签：二极管肖特基二极管 SBD 154 0

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类别：电子资料 2022-09-23 标签：二极管肖特基二极管 SBD 195 0

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类别：电子资料 2022-09-23 标签：二极管肖特基二极管 SBD 167 0

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类别：电子资料 2022-09-23 标签：二极管肖特基二极管 SBD 132 0

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瞻芯电子推出车规级1200V 60A SiC 肖特基二极管(SBD)产品，助力高效大功率应用

为了满足高效、大功率变换系统应用需要，瞻芯电子开发了4款1200V 60A SiC肖特基二极管(SBD)产品，其中TO247-2封装器件产品IV2D12...

2024-12-02 标签：肖特基二极管 SBD SiC 361 0

ROHM推出表面贴装型SiC肖特基势垒二极管

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出引脚间爬电距离*1更长、绝缘电阻更高的表面贴装型SiC肖特基势垒二极管（以下简称“SBD”）。目...

2024-11-26 标签：二极管 SBD SiC 172 0

北京顺义泰科天润项目一期投资4亿元，预计2028年达产

3月4日，北京顺义消息显示，顺义区21个在建市区重点产业项目全部复工复产，其中包括泰科天润建设公司总部、研发中心及8英寸SiC功率器件生产基地项目。

2024-03-11 标签：新能源汽车 MOSFET 晶圆 1073 0

ROHM推出实现业界超快trr的100V耐压SBD

二极管的种类有很多，其中高效率SBD被广泛用于各种应用。尤其是沟槽MOS结构的SBD，其VF低于平面结构的SBD，因此可以在整流等应用中提高效率。而普通...

2024-03-15 标签：二极管 MOS SBD 465 0

京瓷推出一种功率器件LPTO-263封装

功率器件，是指用于调控和变换电力的器件。从民生用品到工业设备，京瓷集团一直向市场提供各种高品质、高可靠性的节能型产品。

2024-02-23 标签：散热片功率器件 SBD 1102 0

罗姆推出新型SBD

来源：Silicon Semiconductor 非常适合汽车LED头灯和其他高速开关应用。 ROHM（罗姆）开发了100V击穿肖特基势垒二极管 (SB...

2024-02-21 标签：SBD 罗姆 470 0

ROHM推出实现业界超快trr的100V耐压SBD“YQ系列”

全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)面向车载设备、工业设备、消费电子设备等的电源电路和保护电路，推出trr*1超快的100V耐压肖特基势垒...

2024-01-24 标签：SBD Rohm 532 0

液相法碳化硅单晶生长技术研究

碳化硅具有高热导率、高击穿电场、高饱和电子漂移速度、良好的耐辐射性和化学稳定性、GaN的近晶格常数和热膨胀系数等优势。

2023-12-18 标签：新能源汽车晶圆 SBD 1429 0

SiC功率模块中微米级Ag烧结连接技术的进展

功率密度的提高及器件小型化等因素使热量的及时导出成为保证功率器件性能及可靠性的关键。

2023-12-13 标签：功率器件 SBD SiC 1016 0

【科普小贴士】肖特基势垒二极管（SBD）的金属差异

2023-12-13 标签：二极管 MOSFET SBD 658 0

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