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SST39VF1601

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SST39VF 1601/320x/640x设备为1M x16，2Mx16和4M x16，CMOS多用途Flash Plus（MPF+）采用SST专有技术制造，高性能CMOS超闪存技术。

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　　SST39VF 1601/320x/640x设备为1M x16，2Mx16和4M x16，CMOS多用途Flash Plus（MPF+）采用SST专有技术制造，高性能CMOS超闪存技术。这个分裂栅单元设计与厚氧化物隧道注入器相比之下，获得更好的可靠性和可制造性用不同的方法。SST39VF 160x/320x/640x使用2.7-3.6V电源进行写入（编程或擦除）。

　　这些设备符合JEDEC的标准引脚x16记忆。

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