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标签 > sic器件
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SiC器件是一种新型的硅基 MOSFET,特别是 SiC功率器件具有更高的开关速度和更宽的输出频率。SiC功率芯片主要由 MOSFET和 PN结组成。 ...
在同样的耐压和电流条件下,SiC器件的漂移区电阻要比硅低200倍,即使高耐压的SiC场效应管的导通压降,也比单极型、双极型硅器件的低得多。而且,SiC器...
衬底作为SiC芯片发展的关键,占据着重要的地位。SiC衬底不仅在功率器件成本中所占比例很高,而且与产品质量密切相关。如果说前几年很多SiC器件厂商都是靠...
肖特基二极管又称热载流子二极管,通过金属和半导体触点形成肖特基势垒,实现整流。与普通PN结二极管相比,它的反向恢复惯性很低。因此,肖特基二极管适用于高频...
Wolfspeed开始向中国终端客户批量出货碳化硅MOSFET
根据Wolfspeed的最新消息,随着其在纽约州莫霍克谷工厂的投产,Wolfspeed已经开始向中国终端客户批量出货碳化硅MOSFET,首批供应的产...
随着新能源汽车的渗透率节节攀升,充电桩行业也迎来了进一步的发展和市场扩张。充电桩市场目前还远未成熟,有着巨大的发展空间。
器件性能和成本的持续倒逼和规模化生产对装备支撑能力不断提出新要求, 比如要求大尺寸、高效率和高产能、低污染等。
富昌电子(Future Electronics)一直致力于以专业的技术服务,为客户打造个性化的解决方案,并缩短产品设计周期。在第三代半导体的实际应用领域...
由于SiC具有更快的开关速度,因此对于某些拓扑结构,可缩减无源元器件如电感器的尺寸以降低系统尺寸和成本
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