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标签 > V-NAND
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在技术层面,第九代V-NAND无疑展现出了三星的卓越技术实力。它采用了双重堆叠技术,在原有的旗舰V8闪存236层的基础上,再次实现了技术上的重大突破,堆...
三星24年生产第9代V-NAND闪存 SK海力士25年量产三层堆栈架构321层NAND闪存
三星24年生产第9代V-NAND闪存 SK海力士25年量产三层堆栈架构321层NAND闪存 存储领域的竞争愈加激烈,三星电子计划在2023年正式生产第9...
1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存储密度,可为全球企业系统提供容量更大、密度更高的存储解决方案。
在旧金山的闪存峰会上,三星宣布推出新一代V-NAND单晶粒,容量高达1Tb,用于消费级产品。
三星目前已完成32层堆叠第二代V-NAND的研发作业,计划第3季推出48层堆叠第三代V-NAND产品后,于2016年生产64层堆叠的V-NAND产品。
很少人会想到 NAND快闪记忆体已经快要消失在地平线上、即将被某种新技术取代,笔者最近参加了一场IBM/Texas Memory Systems关于快...
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