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CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor），互补金属氧化物半导体，电压控制的一种放大器件，是组成CMOS数字集成电路的基本单元。

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CMOS图像传感器堆栈式与单芯片的区别

你知道CMOS图像传感器是如何变成现在这般的吗？它有哪些分类？本文就带你一起了解一下CMOS图像传感器的进化历程，以及堆栈式与单芯片技术的优缺点与适用场景。

2024-04-09 标签：CMOS 单芯片图像传感器 1724 0

先进工艺下的SRAM功耗和性能挑战

随着AI设计对内部存储器访问的要求越来越高，SRAM在工艺节点迁移中进一步增加功耗已成为一个的问题。

2024-04-09 标签：CMOS DRAM sram 1056 0

电机驱动芯片和电机控制芯片是一回事吗

电机驱动芯片和电机控制芯片在电机系统中各自扮演着重要的角色，但它们并不是一回事。

2024-04-08 标签：CMOS 控制电路电机系统 1546 0

前段制程FEOL—晶圆上的元件制程

此节以半导体的代表，CMOS-半导体为例，对前段制程FEOL进行详细说明。此说明将依照FEOL主要制程的剖面构造模型，说明非常详细，但一开始先掌握大概即可。

2024-04-03 标签：CMOS 半导体晶圆 1121 0

一种新型技术实现光学芯片热调速度翻倍提升

硅臻程控多通道电流（电压）源体积小巧，可实现多达64通道的高精度恒定电流和恒定电压输出。实验者通过SCSI屏蔽电缆线将电流电压源连接至PCB下载转接板，...

2024-04-02 标签：CMOS 电压源移相器 462 0

为何CIS技术更青睐背照式方案（BSI）？

早期的CIS产品像素采用前照式(FSI)结构，这种结构将光学结构置于基于CMOS1)工艺的电路上。这项技术适用于像素尺寸为1.12μm及以上的大多数CI...

2024-04-05 标签：CMOS 图像传感器 CIS 1321 0

什么是电平转换？电平转换电路举例

比如两个芯片之间的供电电压不一样，一个是5V，另一个是3.3V，那么在两者之间进行通讯建立连接关系时，就需要进行电平转换。

2024-03-28 标签：CMOS 上拉电阻 TTL 2304 0

探索BJT、CMOS、DMOS等半导体工艺技术

双极性结型晶体管（bipolar junction transistor, BJT），俗称三极管。晶体管中的电荷流动主要是由于载流子在PN结处的扩散作用...

2024-03-27 标签：CMOS 放大器三极管 4209 0

工业面阵相机成像原理及分类

面阵相机主要采用的连续的、面状扫描光线来实现产品的检测，可以一次性获取完整的目标图像，并能及时进行图像采集的相机。

2024-03-26 标签：CMOS CCD相机工业相机 735 0

工业面阵相机成像原理及分类

面阵相机主要采用的连续的、面状扫描光线来实现产品的检测，可以一次性获取完整的目标图像，并能及时进行图像采集的相机。

2024-03-22 标签：CMOS 图像传感器光电器件 1038 0

什么是BCD工艺？BCD工艺与CMOS工艺对比

BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）工艺技术是将双极型晶体管、CMOS（互补金属氧化物半导体）和DMOS（双扩散金属氧化物半导体）晶体管技术组合...

2024-03-18 标签：CMOS 晶体管电磁干扰 6093 0

全面解析数字电路基础知识

模拟电路：用连续的模拟电压 / 电流值来表示信息数字电路：用一个离散的电压序列来表示信息

2024-03-13 标签：CMOS 模拟电路门电路 2089 0

使用OVM6946和OV426设计内窥镜吧！

这四个型号区别不大，主要是尺寸，不带M的直接一个CMOS，但是这样的尺寸对镜头要求极高，那么带M的就是自带了镜头。另外46和48的CMOS价格差一半，然...

2024-03-13 标签：CMOS 图像传感器摄像头 3159 0

关于射频学习的问题总结

请问一下，你们遇到过开着HB仿真和关着HB仿真，两者小信号有区别的情况吗？增益会掉两个dB，回拨也略有不同。

2024-03-13 标签：CMOS 射频仿真器 855 0

艾为推出AWS790X2系列低噪声CMOS运算放大器

该运算放大器的单位增益稳定，并具有超低的输入偏置电流，非常适合传感器接口、有源滤波器、工业和便携式应用。

2024-03-12 标签：CMOS 运算放大器有源滤波器 207 0

CMOS 2.0：为何CMOS技术迈入全新阶段？

CMOS 是 20 世纪 60 年代构建微处理器的技术选择。使晶体管和互连器件变得更小，以使其更好地工作 60、70 年。但这种情况已经开始崩溃。

2024-03-11 标签：CMOS 芯片设计晶体管 667 0

深度解析半导体工艺与分类

1950年发明，早期模拟电路广泛使用BIPOLAR工艺，BIPOALR工艺可以做到非常低的漏电，非常低的噪声，但是BIPOLAR最大问题是实现数字电路比...

2024-03-08 标签：集成电路 CMOS 三极管 3895 0

电迁移导致半导体失效的机理探讨

SRAM工艺的处理器是通过CMOS内部管道切换的方式工作，其产品处理速度较高，被众多用户接受。但是，CMOS工艺有一个致命缺陷，由于工艺原因，伴随CMO...

2024-02-29 标签：处理器 FPGA CMOS 573 0

为什么GaN被誉为下一个主要半导体材料？

拥有能够在高频下高功率运行的半导体固然很好，但尽管 GaN 提供了所有优势，但有一个主要缺点严重阻碍了其在众多应用中替代硅的能力：缺乏 P -类型。

2024-02-29 标签：CMOS NMOS 半导体材料 343 0

2纳米芯片的背面供电技术分析

在英特尔简化的工艺流程中（见图 5），该工艺首先制造出鳍式场效应晶体管（finFET）或全栅极晶体管，然后蚀刻纳米硅片并填充钨或其他低电阻金属。

2024-02-28 标签：CMOS 英特尔直流电阻 699 0

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