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CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor），互补金属氧化物半导体，电压控制的一种放大器件，是组成CMOS数字集成电路的基本单元。

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上下拉电阻能否增强驱动能力？

一个最简单的二极管与门如下图。与门实现逻辑与操作Y=A&B，即A或者B任意为L的时候，输出Y为L，只有当A和B都为H时，Y才为H。

2023-12-02 标签：CMOS 二极管上拉电阻 595 0

芯片设计都不可避免的考虑要素—闩锁效应latch up

闩锁效应，latch up，是个非常重要的问题。现在的芯片设计都不可避免的要考虑它。我今天就简单地梳理一下LUP的一些问题。

2023-12-01 标签：CMOS 芯片设计 BJT 3253 0

什么是CMOS图像传感器？CMOS图像传感器的基本名词解释

Sensor，作为摄像头模组最重要的一部分，其总价值占比超过50%，在摄像头模组及相关行业，提到“Sensor”这个词，一般代指图像传感器。目前，除了一...

2023-11-30 标签：CMOS 半导体图像传感器 5613 0

先进ic封装常用术语有哪些

TSV是2.5D和3D集成电路封装技术中的关键实现技术。半导体行业一直在使用HBM技术将DRAM封装在3DIC中。

2023-11-27 标签：集成电路 CMOS DRAM 913 0

光学视觉传感器技术研究进展

视觉传感是人类感知外界、认知世界的主要途径，研究表明人类获取的外界信息大约有80%来自于视觉。

2023-11-27 标签：CMOS CCD 信噪比 1668 0

热成像正在成为主流吗？

事实上，用于移动设备的热感相机附件正变得越来越流行，而且非常实惠，一些加固型手机甚至集成了这些附件。热成像器开始渗透智能家居有了物联网设备，用不了多久，...

2023-11-23 标签：传感器 CMOS 热成像 973 0

3D亚纳米时代，CMOS逻辑电路如何发展？

一种有些不寻常的方法是研究多层互连过程（BEOL）中的存储器等构建元件。多层布线下面通常是CMOS逻辑电路。因此，理论上，BEOL中内置的元件不会增加硅...

2023-11-22 标签：CMOS 反相器图像传感器 751 0

全CMOS结构的基准电压源电路原理分析

本次仿真的是2018年的论文[1]，无三极管和电阻的，利用CMOS亚阈值导电指数特性做温度补偿替代三极管，极大减小了面积和功耗，能在低压工作，温度特性好...

2023-11-21 标签：CMOS 三极管仿真 2478 0

无三极管亚阈值CMOS基准电压源电路原理分析

本次仿真的是2006年的论文[1]，结构简单，无三极管，利用CMOS亚阈值导电指数特性做温度补偿替代三极管，极大减小了面积和功耗，能在低压工作，但是温度...

2023-11-21 标签：CMOS 三极管仿真 1660 0

IV转换信号采集前端模块原理解析

在前面的文章里面有一个广为流传的原理图，一会儿在下面会有这个图。

2023-11-17 标签：CMOS 放大器原理图 4500 0

关于TVS漏电流的问题分析

　对于一些面板上的拨码开关等电路，为了增加抗ESD能力，通常需要串入TVS管。但要注意由于TVS管的漏电流过大，以致上拉电阻上的压降过大，从而造成高电平...

2023-11-16 标签：CMOS TVS TVS管 2120 0

工业相机拆解分析

之前预言的项目暂停了，为之而做的硬件设备也就暂时没人用了，正好多出来一个工业相机，想着里面到底是什么样子，于是乎突发奇想，拆开来瞅瞅。

2023-11-15 标签：传感器 CMOS 接口 3408 0

芯片制程常见的金属材料及其特性

银 (Ag)：导电浆料：用于某些先进的封装技术。电镀：电镀锡银合金镍 (Ni)：硅化物形成：与硅反应形成镍硅化物，用于某些接触应用。磁性金属：...

2023-11-15 标签：芯片 CMOS 封装技术 5212 0

工业相机芯片开窗的不同模式对比

随着工业相机的普及，大家对芯片AOI技术的认识也越来越深刻，可是仍然有很多人弄不清楚，本文即旨在帮助大家彻底弄清楚ROI、BIN、SKIP 这几种sen...

2023-11-13 标签：传感器芯片 CMOS 2678 0

电压稳压器XC6705系列概述和特点

XC6705系列是CMOS工艺高速LDO电压稳压器IC，可实现高精度和高纹波抑制，同时低电源电流（1.2μA）。

2023-11-10 标签：CMOS 驱动器稳压器 885 0

基于双光子光刻的光学封装方法

双光子光刻技术能够精确制备三维结构，并将其精准集成在光电芯片上，能够在光纤-芯片以及芯片-芯片之间，构建大带宽、低损耗的光信号链路，实现光信号的高效互连...

2023-11-06 标签：芯片 CMOS 半导体 982 0

关于数字处理技术部分的路线图介绍

EUV 超薄（≤10nm）尺度的光刻胶：随着特征尺寸的缩小，光刻胶分子成分成为特征尺寸的一部分。构成光刻胶的分子必须是单组分、小的构建块，以防止聚...

2023-11-06 标签：处理器 CMOS 存储器 886 0

浅谈阻抗匹配（五）—传输线端接的分类

反射产生的主要原因有：过长的布线、未被匹配终结的传输线、过量的电容和电感等本质均为阻抗失配。

2023-11-03 标签：CMOS 驱动器阻抗匹配 2101 0

瞻芯电子全新升级双通道驱动芯片IVCR2504介绍

近日，瞻芯电子推出了一款全新升级的双通道驱动芯片IVCR2504，它延续了经典的IVCR240x系列芯片的高速、安全、紧凑的特点，并将拉灌电流峰值由4A...

2023-11-03 标签：CMOS MOSFET 功率器件 1197 0

一种Inverter-Based CTLE以解决传统CTLE的不足

传统CML结构的CTLE基于源极退化电阻电容实现均衡，当速度提高到56Gb/s或者112Gb/s时CML-based CTLE面临速度、面积、功耗的巨大压力

2023-10-31 标签：CMOS 晶体管 DSP芯片 3212 0

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