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硅氧负极的工艺流程 CVD法的核心优势

从本质上分析硅氧负极循环寿命更好的原理是：硅氧负极技术路线多用氧化亚硅，相较于单质硅颗粒，氧化亚硅（SiOx）在锂嵌入过程中发生的体积膨胀较小，其循环稳...

2022-09-29 标签：CVD 1.3万 0

集成电路芯片制造中的3种硅化物工艺介绍

为了降低接触电阻和串联电阻，在集成电路制造中引入了硅化物工艺，业界先后采用了可规模生产的 WSi2 、TiSi2、CoSi2、NiSi 等工艺。

2022-11-21 标签：串联电阻CVD集成电路芯片 9592 0

各种CVD材料介绍

Producer Black Diamond 3 系统设计为可与 应用材料公司的 Producer Nanocure 3 UV 固化系统配合使用。Nan...

2023-05-25 标签：晶圆逻辑器件CVD 8079 0

刻蚀工艺基础知识简析

刻蚀速率是测量刻蚀物质被移除的速率。由于刻蚀速率直接影响刻蚀的产量，因此刻蚀速率是一个重要参数。

2023-02-06 标签：晶圆SEM电子显微镜 6569 0

模拟硅基片上的UHV/CVD及硅生长

化学气相沉积 (CVD) 能够生产出兼具高质量、高纯度及高强度等优点的材料，因此在半导体行业非常受欢迎。超高真空化学气相沉积涉及相当复杂的设备和极高的温...

2018-06-02 标签：CVD硅基片 5200 0

磁场中的带电粒子介绍

低频功率时，离子所获得的能量比在高频功率获得的能量稍高。低频使离子有较多的反应时间，所以能把离子加速到具有较高的能量，也因此能够提供更多的能量在离子轰击上。

2022-12-07 标签：电容耦合电磁场CVD 3582 0

等离子第一个电子是从哪里及如何产生的？

当两个电极通过射频高电压时，它们之间就产生一个交流电场。如果射频功率足够高，自由电子受到交流电场的影响被加速，直到获得足够的能量和反应室中的原子或分子碰...

2022-11-21 标签：ICPCVD 3032 0

CVD过程中的等离子工艺

CVD过程中，不仅在晶圆表面出现沉积，工艺室的零件和反应室的墙壁上也都会有沉积。

2022-12-27 标签：HDPCVD 2582 0

金刚石晶体的不同类型及应用梳理

金刚石是我们都非常熟悉的超硬材料，人造金刚石晶体有多种不同的类型，大致可分为单形和聚形，每种类型都具有不同的特性和应用。本文梳理了金刚石晶体的不同类型及应用。

2024-01-02 标签：金刚石CVD 2517 0

等离子体刻蚀工艺简介

铝刻蚀可以使用多种不同的酸，其中最普遍的混合液是以磷酸(H3P04,80%)、醋酸(CH3COOH,5%)、硝酸(HN03,5%)和水(H20,10%)...

2023-02-17 标签：PVDICPCVD 2433 0

进行MEMS制造的沉积方法

进行MEMS制造的最基本需求是能够沉积1到100微米之间的材料薄膜。NEMS的制造过程是基本一致的，膜沉积的测量范围从几纳米到一微米。

2022-10-11 标签：memsNEMSPVD 1890 0

90%的模具人都搞不懂模具爆裂是什么？模具爆裂原因分析

模具材质不好在后续加工中容易碎裂

2023-11-25 标签：PVD压力机HRC 1526 0