DRAM

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  AI时代核心存力HBM(上)

    一、HBM 是什么？ 1、HBM 是 AI 时代的必需品作为行业主流存储产品的动态随机存取存储器 DRAM 针对不同

  2024-11-16 标签： DRAM 存储 HBM 292 0

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  AI时代核心存力HBM(中)

  HBM 对半导体产业链的影响1. HBM 的核心工艺在于硅通孔技术（TSV）和堆叠键合技术 硅通孔：TSV（Throug

  2024-11-16 标签： 芯片 DRAM HBM 142 0

• 2025年DRAM展望:位元产出大增25%,HBM成新增长极但供应紧张

  经历2024年前三个季度的库存消化和价格回升后，DRAM产业在第四季度的价格动能开始减弱。TrendForce集邦咨询的

  2024-11-07 标签： DRAM 存储器 HBM 303 0

• 三星电子计划在2026年前推出400层V-NAND闪存芯片

  全球领先的存储芯片制造商三星电子正积极筹备在2026年前推出划时代的400层V-NAND闪存芯片，旨在把握人工智能（AI

  2024-11-01 标签： DRAM 三星电子 NAND闪存 503 0

• FormFactor发布2024财年第三季度财报,收入创历史新高

  FormFactor公司于10月30日公布了其截至2024年9月28日的2024财年第三季度财务报告。报告显示，Form

  2024-11-01 标签： DRAM FormFactor DDR5 378 0

• 存储市场面临多重挑战,NAND与DRAM价格承压

  从需求端审视，通货膨胀的压力以及AI个人电脑应用场景的匮乏，共同制约了大规模升级周期的到来。在供应端，主要制造商在第三季

  2024-10-28 标签： DRAM NAND 存储 303 0

• 三星推出业界首款24Gb（3GB）GDDR7 DRAM内存芯片

  三星推出了业内首款24Gb（即3GB）GDDR7 DRAM内存芯片，其超高速度可达42.5Gbps，专为下一代图形处理单

  2024-10-22 标签： DRAM 内存 三星 531 0

• 三星或重新设计1a DRAM以提升HBM质量

  　三星电子正面临严峻挑战，特别是在其半导体业务领域。除了代工业务停滞的问题，该公司在高带宽存储器（HBM）市场的竞争力也

  2024-10-22 标签： DRAM 三星电子 HBM 306 0

• DRAM存储器的特性有哪些

  DRAM（Dynamic Random Access Memory）即动态随机存储器，是一种半导体存储器，用于计算机系统

  2024-10-12 标签： DRAM 存储器 晶体管 527 0

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  物联网应用中HyperRAM的使用优势

  根据Ericsson在2020年6月发布的移动设备市场报告指出，包括NB-IoT和Cat-M在内的大规模物联网 (Mas

  2024-10-11 标签： 半导体 DRAM 物联网 391 0

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