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• 三星电子否认1b DRAM重新设计报道

  据报道，三星电子已正式否认了有关其将重新设计第五代10nm级DRAM(即1b DRAM)的传闻。这一否认引发了业界对三星

  2025-01-23 标签： DRAM 三星电子 内存 149 0

• 三星否认重新设计1b DRAM

  据DigiTimes报道，三星电子对重新设计其第五代10nm级DRAM（1b DRAM）的报道予以否认。 此前，ETNe

  2025-01-23 标签： DRAM 三星 533 0

• 三星1c nm DRAM开发良率里程碑延期

  据韩媒MoneyToday报道，三星电子已将其1c nm(1-cyano nanometer)DRAM内存开发的良率里程

  2025-01-22 标签： 半导体 DRAM 制程技术 142 0

• 三星重启1b nm DRAM设计，应对良率与性能挑战

  近日，据韩媒最新报道，三星电子在面对其12nm级DRAM内存产品的良率和性能双重困境时，已于2024年底作出了重要决策。

  2025-01-22 标签： DRAM 内存 三星 218 0

• 美光科技计划大规模扩大DRAM产能

  据业内消息，美光科技预计今年将继续积极扩大其DRAM产能，与去年相似。得益于美国政府确认的巨额补贴，美光近期将具体落实对

  2025-01-07 标签： DRAM 美光科技 HBM 331 0

• SK海力士增产HBM DRAM,应对AI芯片市场旺盛需求

  SK海力士今年计划大幅提升其高带宽内存（HBM）的DRAM产能，目标是将每月产能从去年的10万片增加至17万片，这一增幅

  2025-01-07 标签： DRAM SK海力士 HBM 285 0

• 国产DDR5内存上市,内存市场价格战一触即发

  随着国产DDR5内存的上市，内存市场的竞争态势即将迎来新的变化。DRAM内存作为半导体产业的明星产品，据市调机构Tren

  2025-01-07 标签： DRAM 内存 DDR5 385 0

• AI兴起推动HBM需求激增，DRAM市场面临重塑

  TechInsights的最新报告揭示了AI兴起对高带宽内存(HBM)需求的巨大影响。特别是在机器学习和深度学习等数据密

  2024-12-26 标签： 处理器 DRAM AI 258 0

• Kioxia发布OCTRAM技术，开启低功耗DRAM新篇章

  近日，在存储器解决方案领域，Kioxia Corporation再次展现其创新实力，宣布成功开发出OCTRAM(氧化物半

  2024-12-24 标签： 半导体 DRAM Kioxia 431 0

• 南亚科技与补丁科技携手开发定制超高带宽内存

  近日，台湾地区知名的DRAM内存制造商南亚科技宣布，已与专业DRAM设计公司补丁科技达成战略合作，共同致力于定制超高带宽

  2024-12-20 标签： DRAM 带宽 内存 216 0

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