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DRAM(Dynamic Random Access Memory),即动态随机存取存储器,最为常见的系统内存。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据,DRAM使用电容存储,所以必须隔一段时间刷新(refresh)一次,如果存储单元没有被刷新,存储的信息就会丢失。 (关机就会丢失数据)
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为应对DRAM、NAND Flash芯片价格走低态势 三星将削减资本支出
本周,三星电子发布了三季度财报,当季三星营收65.4万亿韩元(约合4032亿人民币),净利润13.1万亿韩元(约合807亿人民币),同比分别增长17.5...
SK海力士HBM4E内存2025年下半年采用32Gb DRAM裸片量产
值得注意的是,目前全球三大内存制造商都还未开始量产1c nm(第六代10+nm级)制程DRAM内存颗粒。早前报道,三星电子与SK海力士预计今年内实现1c...
根据Omdia调查数据,全球储存型快闪记忆体(NAND Flash)市场中,韩国三星占据34.3%的份额领跑,日本铠侠紧随其后(占比19.5%),美国威...
今年DRAM产业重大事件,莫过于日商尔必达半导体以及美商美光半导体联手宣布整并,研调机构DRAMeXchange预估2012年DRAM营收与去年相较仅跌...
DRAM大厂南亚科总经理李培瑛昨(17)日表示,第二季DRAM市场仍明显供不应求,且预期第三季旺季需求将持续成长、维持供不应求的市况,而第四季有可能受韩...
瑞晶一向是台系DRAM厂中制程转换速度最快的业者,旗下8万片12寸晶圆厂领先在2011年转进40纳米制程,日前又在30纳米制程上抢得头筹,且比原订进度提...
据韩国贸易部16日公布的资料显示,韩国9月份的nand闪存出口额比去年同期增加了5.6%,但8月份减少了8.9%。存储器半导体业界的另一个支柱——3.3...
三星电子与SK海力士加大DRAM与HBM产能,应对AI热潮下的存储需求
在全球人工智能(AI)技术持续升温的背景下,韩国两大存储芯片巨头——三星电子与SK海力士正积极调整生产策略,以应对日益增长且多样化的存储需求。据韩国媒体...
近一年多来,DRAM芯片制造商为争夺高带宽内存(HBM)市场份额,展开了激烈的研发竞赛。这股竞争浪潮随着存储器市场的持续升温,逐渐扩展到NAND闪存领域...
SK海力士与三星电子DRAM市场份额差距已缩小至4.4%,霍尼韦尔携手中企重构价值链
传感新品 【安徽建筑大学:研究碳纳米管/聚氨酯海绵压力传感器的创新应用】 柔性压力传感器在人机交互、运动检测和手势识别等多个领域都非常重要。本文,安...
不同于一季度的疲软,可以看到在 二季度存储市场明显有所回暖,打破自2022年二季度以来的连续下滑,重新恢复增长。 据CFM闪存市场分析, 2023年二季...
2023-09-05 标签:DRAM 536 0
2025年DRAM展望:位元产出大增25%,HBM成新增长极但供应紧张
经历2024年前三个季度的库存消化和价格回升后,DRAM产业在第四季度的价格动能开始减弱。TrendForce集邦咨询的资深研究副总吴雅婷指出,由于部分...
全球知名的DRAM大厂美光,早在去年就已宣布了其在日本广岛的重大投资计划。据悉,美光计划斥资6,000至8,000亿日元,在广岛兴建一座全新的DRAM工...
集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查指出,受到服务器需求疲弱、智能手机换机周期延长、苹果新机销售不如预期等终端需求不佳冲击,2019年...
美光、SK海力士、三星拟上调存储芯片价格,数据中心需求强劲成为主因
台湾东部花莲地区4月3日发生强烈地震之后,美光、SK海力士、三星纷纷暂停存储芯片报价,三星虽未受直接影响,却暂时停止出货以待上级指示。据了解,尽管三家主...
据韩国媒体最新报道,三星电子已正式确认在平泽P4工厂投资建设先进的1c nm DRAM内存产线,并预计该产线将于明年6月正式投入运营。这一举措标志着三星...
三星加速制程微缩 DRAM进入40纳米世代 三星电子(Samsung Electronics)加速制程微缩,积极导入40纳米制程,第4季已开始小幅试产...
扑朔迷离,2010存储厂商前景难料 1985年全球内存产业低潮期所带来的冲击既深且巨,即使在市场复苏后仍然留下了许多难以抹灭的伤害,如果没有2001年...
从NAND Flash存储来看,全球市场也高度集中。据CFM闪存市场的数据,2022年全球NAND Flash市场规模为601.26亿美元,由三星电子、...
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