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eMRAM 技术是自旋电子学(Spintronics,2007 年诺贝尔物理学奖)发展的重要产物。eMRAM 是利用电子的自旋特性实现数据存储,其核心存储器件为磁性隧道结 MTJ。
eMRAM 技术是自旋电子学(Spintronics,2007 年诺贝尔物理学奖)发展的重要产物。eMRAM 是利用电子的自旋特性实现数据存储,其核心存储器件为磁性隧道结 MTJ。
作为一种新型存储,eMRAM 具有非易失性、读写速度快、能耗低、集成密度高、耐久力强、天然抗辐射和随工艺节点等比微缩等优点。
三星电子在昨日举行的韩国“AI-PIM 研讨会”上宣布,其正按计划稳步进行eMRAM(嵌入式磁性随机存取内存)的制程升级工作。据悉,目前8nm eMRA...
三星在会上表示,作为新一代汽车技术,正在首次开发5nm eMRAM。三星计划到2024年为止,用14纳米工程增加mbram产品有价证券组合,2年后升级为...
不同于传统半导体存储器如DRAM、SRAM 和 NAND 闪存等利用电子的电荷特性进行数据存储,eMRAM的技术原理是利用电子的自旋特性实现数据存储,其...
简单介绍GlobalFoundrieS生产eMRAM的解决方案
GlobalFoundries(格罗方德半导体有限公司)今年2月份宣布已在其22FDX平台上为物联网和汽车应用交付了首个可投入生产的eMRAM。并表示其...
无论是笔记本电脑的固态硬盘、物联网/汽车硬件、基于边缘的人工智能还是嵌入式非易失性内存(eNVM),它们都是这些应用程序和许多其他应用程序的关键构件。
eMRAM属于新型存储技术,同目前占据市场主流的NAND闪存相比较,其具有更快的存取速度和更高的耐用性,在边缘设备中具有替代NAND闪存和部分SRAM芯...
格芯(GLOBALFOUNDRIES)的22nm FD-SOI(22FDX)平台上的嵌入式磁随机存取存储器(eMRAM)已正式投入生产。同时格芯正与多家...
格芯宣布eMRAM已投入生产,为何晶圆代工厂都在研究eMRAM?
格芯今日宣布基于其22nm FD-SOI(22FDX)平台的嵌入式、磁阻型非易失性存储器(eMRAM)已投入生产。格芯正在接洽多家客户,计划2020年安...
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