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EPROM由以色列工程师Dov Frohman发明,是一种断电后仍能保留数据的计算机储存芯片——即非易失性的(非挥发性)。本章详细EEPROM是什么,EPROM编程过程,E2PROM与EPROM,E2PROM和EPROM,EPROM型号,EPROM和E2PROM的区别,EPROM的工作原理
EPROM由以色列工程师Dov Frohman发明,是一种断电后仍能保留数据的计算机储存芯片——即非易失性的(非挥发性)。它是一组浮栅晶体管,被一个提供比电子电路中常用电压更高电压的电子器件分别编程。一旦编程完成后,EPROM只能用强紫外线照射来擦除。通过封装顶部能看见硅片的透明窗口,很容易识别EPROM,这个窗口同时用来进行紫外线擦除。可以将EPROM的玻璃窗对准阳光直射一段时间就可以擦除。
EPROM由以色列工程师Dov Frohman发明,是一种断电后仍能保留数据的计算机储存芯片——即非易失性的(非挥发性)。它是一组浮栅晶体管,被一个提供比电子电路中常用电压更高电压的电子器件分别编程。一旦编程完成后,EPROM只能用强紫外线照射来擦除。通过封装顶部能看见硅片的透明窗口,很容易识别EPROM,这个窗口同时用来进行紫外线擦除。可以将EPROM的玻璃窗对准阳光直射一段时间就可以擦除。
工作原理
浮栅中没有电子注入时,在控制栅加电压时,浮栅中的电子跑到上层,下层出现空穴。
由于感应,便会吸引电子,并开启沟道。
如果浮栅中有电子的注入时,即加大的管子的阈值电压,
沟道处于关闭状态。这样就达成了开关功能。
如图二所示,这是EPROM的写入过程,在漏极加高压,电子从源极流向漏极沟道充分开启。在高压的作用下,电子的拉力加强,能量使电子的温度极度上升,变为热电子(hot electrON)。这种电子几乎不受原子的振动作用引起的散射,在受控制栅的施加的高压时,热电子使能跃过SiO2的势垒,注入到浮栅中。
在没有别的外力的情况下,电子会很好的保持着。在需要消去电子时,利用紫外线进行照射,给电子足够的能量,逃逸出浮栅。[2]
EEPROM的写入过程,是利用了隧道效应,即能量小于能量势垒的电子能够穿越势垒到达另一边。
量子力学认为物理尺寸与电子自由程相当时,电子将呈现波动性,这里就是表明物体要足够的小。
就pn结来看,当p和n的杂质浓度达到一定水平时,并且空间电荷极少时,电子就会因隧道效应向导带迁移。
电子的能量处于某个级别允许级别的范围称为“带”,较低的能带称为价带,较高的能带称为导带。
电子到达较高的导带时就可以在原子间自由的运动,这种运动就是电流。
EEPROM写入过程,如图3所示,根据隧道效应,包围浮栅的SiO2,必须极薄以降低势垒。
源漏极接地,处于导通状态。在控制栅上施加高于阈值电压的高压,以减少电场作用,吸引电子穿越。
EPROM和EEPROM有什么区别
瞬间说的没错。
EPROM有一个小玻璃窗口,用紫外线照射檫除,主要应用于存储单片机的程序代码,只能离线写入代码。
EEPROM用电檫除,主要用于存储数据,掉电后数据也不会丢失,且可以在线编程写入数据。
现在都还有应用。
EEPROM是指带电可擦可编程只读存储器,是一种掉电后数据不丢失的存储芯片,EEPROM可以在电脑上或专用设备上擦除已有信息,重新编程,一般用在即插即用。
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