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EUV光刻技术 - 即将在芯片上绘制微小特征的下一代技术 – 原来是预计在2012年左右投产。但是几年过去了,EUV已经遇到了一些延迟,将技术从一个节点推向下一个阶段,本单元详细介绍了EUV光刻机,EUV光刻机技术的技术应用,EUV光刻机的技术、市场问题,国产euv光刻机发展等内容。
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美投资8.25亿美元建设NSTC关键设施,重点发展EUV光刻技术
拜登政府已宣布一项重大投资决策,计划在纽约州的奥尔巴尼市投入8.25亿美元,用于建设国家半导体技术中心(NSTC)的核心设施。据美国商务部透露,奥尔巴尼...
美光预测AI需求将大幅增长,计划2025年投产EUV DRAM
随着人工智能技术日益普及,从云端服务器拓展至消费级设备,对高级内存的需求持续攀升。鉴于此趋势,美光科技已将其高带宽内存(HBM)的全部产能规划至2025...
ASML总裁兼CEO傅恪礼近日在接受外媒采访时指出,尽管西方国家正在积极增加芯片生产,但亚洲在芯片行业中的主导地位不太可能发生改变。
近日,日本冲绳科学技术大学院大学(OIST)发布了一项重大研究报告,宣布该校成功研发出一种突破性的极紫外(EUV)光刻技术。这一创新技术超越了当前半导体...
半导体产业竞速:Hyper-NA EUV光刻机挑战与机遇并存
在科技日新月异的今天,半导体产业作为信息技术的基石,正以前所未有的速度向前跃进。随着人工智能、汽车电子等新兴产业的蓬勃发展,对芯片制造技术的要求也日益严...
ASML拟于2030年推出Hyper-NA EUV光刻机,将芯片密度限制再缩小
ASML再度宣布新光刻机计划。据报道,ASML预计2030年推出的Hyper-NA极紫外光机(EUV),将缩小最高电晶体密度芯片的设计限制。 ASML前...
来源:半导体行业观察,谢谢 编辑:感知芯视界 Link 随着英特尔、三星、台积电以及日本即将落成的先进晶圆代工厂 Rapidus尽管各家公司都各自准备将...
ASML创下新的EUV芯片制造密度记录,提出Hyper-NA的激进方案
ASML在imec的ITF World 2024大会上宣布,其首台High-NA(高数值孔径)设备已经打破了之前创下的记录,再次刷新了芯片制造密度的标准。
台积电魏哲家与ASML高层会面,是否有意购买高数值孔径极紫外光机台?
此前,该公司首席执行官魏哲家曾明确表示,过早引入High-NA EUV并无太大经济效益,直到日前其秘密访问ASML总部,使市场猜测台积电是否因此事发生重大转变。
美光将在日本广岛建DRAM芯片制造工厂,2027年底或将竣工
美光近期发布公告,将斥资45至55亿美元在日本广岛建设DRAM芯片制造工厂,以引入顶尖EUV设备,预计最早于2027年末实现先进DRAM量产。
据悉,新厂将采用EUV光刻机技术,并计划在2025年量产的下一代1-gamma(nm)节点引入EUV光刻技术。鉴于DRAM行业的代际周期,新厂有望具备生...
Rapidus对首代工艺中0.33NA EUV解决方案表示满意,未采用高NA EUV光刻机
在全球四大先进制程代工巨头(包括台积电、三星电子、英特尔以及Rapidus)中,只有英特尔明确表示将使用High NA EUV光刻机进行大规模生产。
来源:国芯网,谢谢 编辑:感知芯视界 Link 5月22日消息,据外媒报道,台积电从ASML购买的EUV极紫外光刻机,暗藏后门,可以在必要的时候执行远程...
范登布林克指出,更高的数值孔径能提高光刻分辨率。他进一步解释说,Hyper NA 光刻机将简化先进制程生产流程,避免因使用 High NA 光刻机进行双...
另一方面,台积电的年度技术论坛正在美国和欧洲如火如荼地进行,备受世人瞩目的是该公司计划在2026年量产A16技术,该技术将结合纳米片晶体管和超级电轨架构。
据台湾业内人士透露,台积电并未为A16制程配备高数值孔径(High-NA)EUV光刻机,而选择利用现有的EUV光刻机进行生产。相较之下,英特尔和三星则计...
英特尔推进面向未来节点的技术创新,在2025年后巩固制程领先性
英特尔正在按计划实现其“四年五个制程节点”的目标,目前,Intel 7,采用EUV(极紫外光刻)技术的Intel 4和Intel 3均已实现大规模量产。...
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