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euv

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EUV光刻技术 - 即将在芯片上绘制微小特征的下一代技术 – 原来是预计在2012年左右投产。但是几年过去了,EUV已经遇到了一些延迟,将技术从一个节点推向下一个阶段,本单元详细介绍了EUV光刻机,EUV光刻机技术的技术应用,EUV光刻机的技术、市场问题,国产euv光刻机发展等内容。

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日本大学研发出新极紫外(EUV)光刻技术

近日,日本冲绳科学技术大学院大学(OIST)发布了一项重大研究报告,宣布该校成功研发出一种突破性的极紫外(EUV)光刻技术。这一创新技术超越了当前半导体...

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ASML拟于2030年推出Hyper-NA EUV光刻机,将芯片密度限制再缩小

ASML再度宣布新光刻机计划。据报道,ASML预计2030年推出的Hyper-NA极紫外光机(EUV),将缩小最高电晶体密度芯片的设计限制。 ASML前...

2024-06-18 标签:光刻机EUVASML 439 0

替代EUV光刻,新方案公布!

来源:半导体行业观察,谢谢 编辑:感知芯视界 Link 随着英特尔、三星、台积电以及日本即将落成的先进晶圆代工厂 Rapidus尽管各家公司都各自准备将...

2024-06-17 标签:光刻EUV 459 0

中国半导体产业的十大技术“瓶颈”解析

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半导体技术是现代电子科技的核心,它的发展水平直接体现了一个国家的科技实力。近年来,我国半导体产业虽然取得了长足进步,但仍有一些核心技术尚未完全掌握。本文...

2024-06-06 标签:芯片半导体封装EUV 1880 0

ASML创下新的EUV芯片制造密度记录,提出Hyper-NA的激进方案

ASML在imec的ITF World 2024大会上宣布,其首台High-NA(高数值孔径)设备已经打破了之前创下的记录,再次刷新了芯片制造密度的标准。

2024-05-30 标签:芯片制造EUVASML 692 0

台积电魏哲家与ASML高层会面,是否有意购买高数值孔径极紫外光机台?

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2024-05-29 标签:台积电EUV半导体行业 497 0

美光将在日本广岛建DRAM芯片制造工厂,2027年底或将竣工

美光近期发布公告,将斥资45至55亿美元在日本广岛建设DRAM芯片制造工厂,以引入顶尖EUV设备,预计最早于2027年末实现先进DRAM量产。

2024-05-28 标签:美光DRAM芯片EUV 897 0

美光宣布将在日本广岛建设DRAM工厂

据悉,新厂将采用EUV光刻机技术,并计划在2025年量产的下一代1-gamma(nm)节点引入EUV光刻技术。鉴于DRAM行业的代际周期,新厂有望具备生...

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Rapidus对首代工艺中0.33NA EUV解决方案表示满意,未采用高NA EUV光刻机

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2024-05-27 标签:EUVASML先进制程 595 0

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来源:国芯网,谢谢 编辑:感知芯视界 Link 5月22日消息,据外媒报道,台积电从ASML购买的EUV极紫外光刻机,暗藏后门,可以在必要的时候执行远程...

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ASML考虑推出通用EUV光刻平台

范登布林克指出,更高的数值孔径能提高光刻分辨率。他进一步解释说,Hyper NA 光刻机将简化先进制程生产流程,避免因使用 High NA 光刻机进行双...

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英特尔竞购High-NA EUV设备,台积电决定回避

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台积电A16制程采用EUV光刻机,2026年下半年量产

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2024-05-17 标签:英特尔台积电EUV 897 0

英特尔推进面向未来节点的技术创新,在2025年后巩固制程领先性

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2024-05-16 标签:英特尔光刻EUV 373 0

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