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Everspin非易失性MRAM-MR0D08BMA45R的特征
MR0D08BMA45R是一款双电源1Mbit的磁阻随机存取存储器(MRAM)器件。支持+1.6~+3.6V的I/O电压。提供SRAM兼容的45ns读/...
Everspin MRAM存储芯片如何用MRAM和NVMe SSD构建未来的云存储
Everspin MRAM存储芯片如何用MRAM这类非易失性存储和NVMe SSD构建未来的云存储的解决方案。 首先STT-MRAM作为异常掉电数据缓存...
Everspin器件是一个40MHz/50MHz MRAM,工作于2.7V-3.6V,标称Vdd=3.3V,而SPI FRAM具有更宽的工作电压范围(1...
Everspin MRAM内存技术是如何工作的? Everspin MRAM与标准CMOS处理集成 Everspin MRAM基于与CMOS处理集成的磁...
Everspin并行输入/输出MRAM产品的简单异步静态随机存取存储器标准JEDEC接口和QSPI/SPI接口使设计易于实现,无需额外的组件或生态系统支...
太空应用中多功能性工业级Everspin 4Mbit MRAM
Everspin的合作伙伴CAES他们共同开发的Toggle MRAM在太空应用中的多功能性和性能。CAES是太空存储器市场的翘楚,并基于Everspi...
Everspin拥有包括40nm,28nm及更高技术节点在内的先进技术节点上进行了全包交钥匙的300mm大批量平面内和垂直MTJ ST-MRAM生产。E...
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