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标签 > everspin
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Everspin非易失性MRAM-MR0D08BMA45R的特征
MR0D08BMA45R是一款双电源1Mbit的磁阻随机存取存储器(MRAM)器件。支持+1.6~+3.6V的I/O电压。提供SRAM兼容的45ns读/...
Everspin MRAM存储芯片如何用MRAM和NVMe SSD构建未来的云存储
Everspin MRAM存储芯片如何用MRAM这类非易失性存储和NVMe SSD构建未来的云存储的解决方案。 首先STT-MRAM作为异常掉电数据缓存...
Everspin器件是一个40MHz/50MHz MRAM,工作于2.7V-3.6V,标称Vdd=3.3V,而SPI FRAM具有更宽的工作电压范围(1...
Everspin MRAM内存技术是如何工作的? Everspin MRAM与标准CMOS处理集成 Everspin MRAM基于与CMOS处理集成的磁...
Everspin并行输入/输出MRAM产品的简单异步静态随机存取存储器标准JEDEC接口和QSPI/SPI接口使设计易于实现,无需额外的组件或生态系统支...
太空应用中多功能性工业级Everspin 4Mbit MRAM
Everspin的合作伙伴CAES他们共同开发的Toggle MRAM在太空应用中的多功能性和性能。CAES是太空存储器市场的翘楚,并基于Everspi...
Everspin拥有包括40nm,28nm及更高技术节点在内的先进技术节点上进行了全包交钥匙的300mm大批量平面内和垂直MTJ ST-MRAM生产。E...
MR25HxxxDF的2.0mm裸露底垫新封装已获Everspin批准生产
everspin在此生产基于180nm,130nm和90nm工艺技术节点的MRAM产品。产品包装和测试业务遍及中国,台湾和其他亚洲国家。在平面内和垂直磁...
2020-04-15 标签:everspin 3529 0
Everspin MR2A16Axxx35可替换赛普拉斯CY14B104NA-BA
用Everspin的MR2A16Axxx35 MRAM替换赛普拉斯CY14B104NA-BA/ZS45XI nvSRAM 用MRAM替换nvSRAM的一...
Everspin Serial MRAM存储芯片MR20H40CDF
Everspin在磁存储器设计,MRAM,STT-MRAM的制造和交付到相关应用中的知识和经验在半导体行业中是独一无二的。拥有超过600多项有效专利和申...
在新型 RAM 技术中,MRAM对物联网和边缘计算设备具有特别有吸引力。因为它能实现比目前这类硬件上的首选存储类内存 -NAND闪存-低得多的功耗,同时...
Everspin在磁存储器设计,制造和交付到相关应用中的知识和经验在半导体行业中是独一无二的。Everspin拥有超过600项有效专利和申请的知识产权产...
MRAM技术是以可沉积在标准逻辑制程上的磁性隧道结 (MTJ)储存单元为基础,MTJ中包含了一个维持单一极性方向的固定层,和一个通过隧道结与其隔离的自由...
Everspin是专业研发生产MRAM、STT-MRAM等半导体领先供应商,在包括40nm,28nm及更高的技术节点在内的先进技术节点上进行了全包交钥匙...
ST-MRAM有潜力成为领先的存储技术,因为它是一种高性能存储器(可以挑战DRAM和SRAM),可扩展至10nm以下,并挑战了闪存的低成本。STT代表旋...
Everspin与GlobalFoundries有着悠久的合作历史,而且十多年来,通过不断改进,对其工厂进行微调优化。能迅速积累并将这些经验传授给Glo...
GlobalFoundries、Everspin联合宣布,双方已经达成新的合作,将利用GF 12LP(12nm FinFET)工艺来制造新一代STT-M...
2020-03-16 标签:内存everspinGlobalFoundries 2494 0
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