F-RAM芯片包含一个锆钛酸铅［Pb（Zr，Ti）O3］的薄铁电薄膜，通常被称为PZT。PZT 中的Zr/Ti原子在电场中改变极性，从而产生一个二进制开关。与RAM器件不同，F-RAM在电源被关闭或中断时，由于PZT晶体保持极性能保留其数据记忆。这种独特的性质让F-RAM成为一个低功耗、非易失性存储器。