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与平面工艺相比,FinFET的复杂性一般会导致更加昂贵的制造工艺,FinFET降低了工作电压,提高了晶体管效率,对静态功耗(线性)和动态功耗(二次方)都有积极作用。可节省高达50%的功耗。性能也更高——在0.7V上,性能(吞吐量)比平面工艺高37%。
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