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FinFET全称叫鳍式场效应晶体管,是一种新的互补式金氧半导体晶体管。FinFET命名根据晶体管的形状与鱼鳍的相似性。这种设计可以改善电路控制并减少漏电流,缩短晶体管的闸长。
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Mentor Graphics 优化工具和流程助设计师成功应对 三星代工厂10 纳米 FinFET 工艺
俄勒冈州威尔逊维尔,2016 年 3 月 11 日—Mentor Graphics公司(纳斯达克代码:MENT)今日宣布,与三星电子合作,为三星代工厂的...
iPhone15或使用台积电3nm芯片,A17性能大幅度提升?
iPhone15或使用台积电3nm芯片,A17性能大幅度提升? iPhone 15是今年最受期待的设备之一,一如既往,用户对此次新发布抱有很高的期望。...
最近大家应该都听说了苹果(Apple)最新iPhone 6s/6s Plus智慧型手机同时采用两种不同处理器晶片版本(Apple A9 SoC)的消息—...
三星半导体(Samsung Semiconductor Inc.,SSI)的高层透露了该公司晶圆代工厂技术蓝图细节,包括将扩展其FD-SOI产能,以及提...
在2014 ARM TechCon 上ARM CEO Simon Segars指出未来的技术应该着重于无形的底层技术。尽管现在的芯片尺寸不断减小,而连接...
在新思科技(Synopsys)于美国硅谷举行年度使用者大会上,参与一场座谈会的产业专家表示,鳍式电晶体(FinFET)虽有发展潜力,但也有风险,而且该技...
ARM携手台积电成功流片16nm ARM Cortex-A57处理器
微处理器设计公司ARM与台积电今天共同宣布,首个采用台积电下下代16nm工艺制程FinFET技术生产的ARM Cortex-A57处理器已成功流片。Co...
在台积电的法人说明会上据台积电总裁魏哲家透露台积电有望2025年量产2nm芯片。 目前,台积电已经开始量产3nm工艺; 台湾新竹宝山、高雄...
Globalfoundries下一代FD-SOI制程正在研发
Globalfoundries技术长Gary Patton透露,其22FDX全空乏绝缘上覆矽(FD-SOI)制程技术可望今年稍晚上市,而目前该公司正在开...
2016-05-27 标签:FinFETGlobalfoundriesFD-SOI制程 1219 0
自从ARM决定从行动装置跨足到伺服器市场后,无不加快自己在制程技术上的脚步,好能跟Intel一决高下,不过当然还是必须协同主要合作夥伴(台积电与三星)的...
这两年,三星电子、台积电在半导体工艺上一路狂奔,虽然有技术之争但把曾经的领导者Intel远远甩在身后已经是不争的事实。
GLOBALFOUNDRIES与ARM宣布签订一份为期多年的合约,共同推出採用GLOBALFOUNDRIES 20奈米製程与FinFET 技术的 ARM...
面对Altera采用英特尔(Intel)14纳米三门极电晶体(Tri-gate Transistor)制程,并将于2016年量产14纳米FPGA的攻势,...
FinFET在22nm节点的首次商业化为晶体管——芯片“大脑”内的微型开关——制造带来了颠覆性变革。与此前的平面晶体管相比,与栅极三面接触的“鳍”所形成...
与5nm制程工艺相比,3nm制程的逻辑密度将提升约70%,同等功耗下速度提升10-15%,或同等速度下功耗降低25-30% 。
三星与Synopsys合作实现首次14纳米FinFET成功流片
新思科技公司日前宣布:该公司与三星在FinFET技术上的多年合作已经实现了一个关键性的里程碑,即采用三星的14LPE工艺成功实现了首款测试芯片的流片
晶圆代工厂迈入高投资与技术门槛的鳍式场效电晶体制程世代后,与整合元件制造商的竞争将更为激烈,因此台积电正积极筹组大联盟,串连矽智财、半导体设备/材料,以...
华力微业界传出大陆华力微电子高层近期来台拜会联发科,表达大陆半导体政策已不再满足于28纳米制程,希望先进逻辑制程技术全面拥抱FinFET制程世代。
拥有一套经过自身验证的芯片设计流程和法则,是世芯成功的关键。它不仅能优化功耗、性能和面积的设计,同时还能符合客户严格的流片计划要求。世芯完整的7/6/5...
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