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型号 | 描述 | 数据手册 | 参考价格 |
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3415 | 12V P 沟道 MOS 场效应管 |
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TC4953 | 20V P 沟道增强型 MOS 场效应管 |
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8205SS | N 沟道功率 MOS 场效应用管 |
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TC2309 | 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):12V 连续漏极电流(Id):4.5A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):62mΩ@4.5V |
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74HC245C | 双向三态输出,八线双向收发器,COMS工艺 |
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74HC04D | 反相器 2-6V SOIC14_150MIL |
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74HC595A | 高速 CMOS 8 位串行移位寄存器 SOP16_150MIL 3~5V |
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74HC245TS | 三态输出、八路信号双向收发器 |
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4004A | 替换TC3200,低噪音DC-DC转换器IC |
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TC4538S | LED显示屏接口IC |
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5088SS | 二合一锂电池保护IC SOP8 |
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5088A | 二合一锂电池保护IC |
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5068A | 二合一锂电池保护IC TSSOP8 |
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2117 | 锂电池保护IC |
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2302 | N沟道 VDS=20V VGS=±8V ID=2.3A P=1.25W |
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2301P | P沟道沟道功率MOSFET 20V 2.8A 110mΩ@10V,1A 840mW 650mV@250uA 42pF@10V P Channel 332pF@10V 3.5nC@4.5V -55℃~+150℃@(Tj) SOT-23-3 |
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2302P | N沟道沟道功率MOSFET 20V 3.2A 39mΩ@4.5V,2.5A 0.84W 0.65V@250uA 29pF@10V N Channel 182pF@10V 3.5nC@4.5V -55℃~+150℃@(Tj) SOT-23-3 |
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65K5. | 低压差电压稳压器 IC 300mA 10uA 420mV@100mA -40℃~+130℃@(Tj) Fixed 1.8V Positive 1 6V SOT-23-3 |
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FM3773GC |
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6080D | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):80A;功率(Pd):128W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250μA;栅极电荷(Qg@Vgs):75nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):3899pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):303pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); |
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3060K | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):60A;功率(Pd):65W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.5mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):35nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.45nF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):185pF@15V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); |
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2301/C | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):17V;连续漏极电流(Id):2A;功率(Pd):0.65W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):95mΩ@4.5V,1A;阈值电压(Vgs(th)@Id):0.6V@250μA;栅极电荷(Qg@Vgs):3nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):332pF@10V;反向传输电容(Crss@Vds):42pF@10V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); |
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FM9920B |
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FM9918 |
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FM1022 |
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2060A(N MOS) |
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FM86C0 |
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40S13 |
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FM6356 |
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FM8648 |
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