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      FRAM（ferromagnetic random access memory）即铁电存储器。

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      fram简介

      　　FRAM（ferromagnetic random access memory）即铁电存储器。

      　　特点

      　　FRAM的特点是速度快，能够像RAM一样操作，读写功耗极低，不存在如E2PROM的最大写入次数的问题；但受铁电晶体特性制约，FRAM仍有最大访问（读）次数的限制。

      　　FRAM存储单元结构

      　　FRAM的存储单元主要由电容和场效应管构成，但这个电容不是一般的电容，在它的两个电极板中间沉淀了一层晶态的铁电晶体薄膜。前期的FRAM的每个存储单元使用2个场效应管和2个电容，称为“双管双容”（2T2C），每个存储单元包括数据位和各自的参考位

      fram百科

      　　FRAM（ferromagnetic random access memory）即铁电存储器。

      　　特点

      　　FRAM的特点是速度快，能够像RAM一样操作，读写功耗极低，不存在如E2PROM的最大写入次数的问题；但受铁电晶体特性制约，FRAM仍有最大访问（读）次数的限制。

      　　FRAM存储单元结构

      　　FRAM的存储单元主要由电容和场效应管构成，但这个电容不是一般的电容，在它的两个电极板中间沉淀了一层晶态的铁电晶体薄膜。前期的FRAM的每个存储单元使用2个场效应管和2个电容，称为“双管双容”（2T2C），每个存储单元包括数据位和各自的参考位

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      富士通半导体（上海）有限公司今日宣布其低功耗铁电随机存取存储器FRAM又添小封装成员－SON-8封装的MB85RC16。富士通的MB85RC16提供标准...

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      两个MCU之间快速传输数据的，常用方法

      一、MCU之间通信的主要方式 1、采用硬件UART进行异步串行通信 这是一种占用口线少，有效、可靠的通信方式；但遗憾的是许多小型单片机没有硬件UART，...

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