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FRAM(ferromagnetic random access memory)即铁电存储器。
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铁电存储器FRAM是一种具有快速写入速度的非易失性存储器。与传统的非易失性存储器相比,FRAM不需要备用电池来保留数据,并且具有更高的读/写耐久性,更快...
什么是FRAM? FRAM(铁电随机存取存储器)是一种非易失性存储器,它使用铁电薄膜作为电容器来存储数据。FRAM兼具ROM(只读存储器)和RAM(随机...
富士通新型Quad SPI接口FRAM MB85RQ8MLX
铁电随机存取存储器是一种使用铁电文件作为存储数据的电容器的存储器。即使断电也能保留内容。结合了ROM和RAM的优点,具有快速写入速度、低功耗和高读/写周...
富士通型号MB85RC04V是一款FRAM芯片,位宽为512字×8位,采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元。与SRAM不同,MB85R...
贸泽电子即日起开售Fujitsu Semiconductor Memory Solution产品
贸泽电子宣布即日起开售Fujitsu Semiconductor Memory Solution的铁电随机存取存储器 (FRAM) 和高密度电阻式随机存...
FRAM是一种非易失性存储器产品,具有读写耐久性高、写入速度快、功耗低等优点,富士通推出了具有并行接口型号MB85R8M2TA的8Mbit FRAM存储...
FRAM(铁电RAM)是一种写入速度快的非易失性存储器。与传统的非易失性存储器(如 EEPROM、闪存)相比,铁电存储器不需要用于数据保存的备用电池,具...
不久之前,我们发布了全新的 TI Design 参考设计,展示了一种用于无线监控电机状态以确定是否需要维护或更换电机的解决方案。 这种概念非常简单:它监...
厌倦了在街区或停车场兜了五个圈,只为找一个空的停车位? 您是否知道电磁传感器可能是消除您困扰的方法之一? 这些传感器可置于地上或路面下,用于检测车辆在停...
海滩风力不足对于我们大多数人而言并没有太大影响,但对于风筝冲浪者,这意味着前往海滩将一无所获。 但借助于记录和传输实时数据的 GSM 气象站,访问 TH...
对于很多人来说,第一次接触能量采集可能是在早期使用太阳能便携式计算器的时候,虽然如今这种类型的计算器已不再是主流,但是它所使用的技术和理念仍然应用于我们...
FRAM (铁电RAM) 是一种具有快速写入速度的非易失性存储器。与传统的非易失性存储器 (如EEPROM、闪存)相比,FRAM不需要备用电池来保留数据...
FRAM是一种写入速度快的非易失性存储器。与传统的非易失性存储器(如EEPROM、闪存)相比,FRAM不需要用于数据保存的备用电池,具有更高的读/写耐久...
FRAM是一种非易失性存储器,因为它结合了ram和非易失性存储器的优点。相对于闪存/EEPROM的写入优势和非易失性使其非常适合在断电情况下存储数据。具...
富士通4Mbit Quad SPI FRAM助力实现高速数据传输
富士通半导体一款具有快速数据传输功能的4Mbit FRAM MB85RQ4ML。这种非易失性存储器可以在最高108MHz的工作频率和带有四个I/O引脚的...
CYPRESS提供全面的铁电RAM非易失性存储器产品组合,可在断电时立即捕获和保存关键数据。在关键任务数据记录应用中,例如需要高可靠性控制和吞吐量的工厂...
128K串行接口FRAM存储器MB85RS128B概述及特点
富士通FRAM(铁电RAM)是新一代非易失性存储器,性能优于 E2PROM 和闪存等现有存储器,功耗更低,速度更快和耐多次读写操作。FRAM是非易失性的...
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