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FRAM(ferromagnetic random access memory)即铁电存储器。
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随着汽车智能化的发展,越来越多的车辆搭载了自动驾驶技术。据前瞻技术研究院的数据显示,2019年国内自动驾驶市场规模为1125亿元,预计至2023年可达2...
独特性能成就技术“硬核”,FRAM 是存储界的实力派。除非易失性以外, FRAM 还具备三大主要优势:高读写入耐久性、高速写入以及低功耗,这是绝大多数同...
CYPRESS串行非易失性存储器为关键任务数据捕获提供卓越的性能和可靠性。Excelon铁电存储器FRAM系列提供高速非易失性数据记录功能,即使在极端温...
这些年来,汽车产品对电子产品的依赖性日益增强。从前的机械系统转移到电子控制单元(ECU)。针对汽车产品安全和用户娱乐目的的新系统所...
铁电存储器(FRAM,ferroelectric RAM)是一种随机存取存储器,它将动态随机存取存储器(DRAM)的快速读取和写入访问——它是个人电脑存...
采用FRAM的MCU为何就能具有诸多优势呢?举例说明:TI做了一个实验,如果要写13Kbps的数据到DRAM里需要花1秒时间,大约要用2200uA的功耗...
自从 20 世纪 70 年代 IC 卡诞生以来,在飞速发展的微电子技术的带动下,IC 卡已经深入到社会生活的各个角落,各种各样的卡大大方便了人们的生活:...
新型的存储器既具有RAM的优点,又有非失易失性特征,同时克服了非易失性写入速度慢且写入次数有限等缺点。 FRAM的核心技术是铁电晶体材料。这一特殊材料使...
铁电存储器是一种融合了在断电的情况下也能保留数据的非易失性、随机存取两个特长的铁电随机存储器(内存)。FRAM的数据保持不仅不需要备用电池,而且与EEP...
尽管静态RAM和铁电RAM可以有完全不同的用途,但是随着SPI等标准接口的出现,这些技术在功能上有很大的重叠。本篇文章宇芯电子详细介绍了SRAM和FRA...
Everspin MRAM提供了最具成本效益的非易失性RAM解决方案
FRAM架构采用铁电材料作为存储器件,这些材料具有一个固有的电偶极子,该偶极子在外部电场的作用下转换为相反的极性。 FRAM中的读取操作具有破坏性,因为...
Everspin MRAM MR25H40VDF相比富士通FRAM MB85RS4MT的优势
Everspin是设计制造MRAM到市场和应用的翘楚,在这些市场和应用中,数据持久性和完整性,低延迟和安全性是至关重要。MR25H40VDF是一个419...
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