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GAA

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半导体工艺制程在进入32nm以下的节点后，每一步都历尽艰辛，传统的工艺技术已经无法满足7nm以下的制程了。好在FinFET之后，又带来了全新的GAA工艺；而5nm之后的时代，全新GAA技术有望延续现有半导体技术路线的寿命。

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　　目前台积电、三星、Intel、格芯量产的先进工艺普遍是基于FinFET鳍式晶体管的；但是在5nm之后，FinFET几乎已经达到了物理极限，其不断拉高的深度和宽度之比（为了避免短沟道效应，鳍片的宽度应该小于栅极长度的0.7倍），将使得鳍片难以在本身材料内部应力的作用下维持直立形态。

　　业内各大厂商和著名的研究机构都提出了自己的看法。其中一种比较主流的方式被称作Gate-All-Around环绕式栅极技术，简称为GAA横向晶体管技术，也可以被称为GAAFET。在应用了GAA技术后，业内估计基本上可以解决3nm乃至以下尺寸的半导体制造问题。

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