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半导体工艺制程在进入32nm以下的节点后，每一步都历尽艰辛，传统的工艺技术已经无法满足7nm以下的制程了。好在FinFET之后，又带来了全新的GAA工艺；而5nm之后的时代，全新GAA技术有望延续现有半导体技术路线的寿命。

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三星芯片代工新掌门：先进与成熟制程并重

据韩媒报道，三星电子设备解决方案部新任foundry业务总裁兼总经理韩真晚(Han Jinman)，在近期致员工的内部信中明确提出了三星代工部门的发展策...

2024-12-10 标签：芯片制程 GAA 301 0

2nm突围，背面供电技术的首个战场

电子发烧友网报道（文/周凯扬）对于任何试图将半导体工艺推进至埃米级的晶圆厂而言，GAA和背面供电似乎都成了逃不开的两大技术。GAA和背面供电在满足芯片性...

2024-06-14 标签：供电技术 2nm GAA 3798 0

美国拟对中国实施尖端AI芯片技术出口限制

6月12日，国际科技界和商界再次因一则新闻而震动。据国外权威媒体报道，美国政府正在考虑对中国实施新的出口限制措施，这一措施直指当前人工智能（AI）领域的...

2024-06-13 标签：半导体 AI 人工智能 750 0

美国或将进一步收紧技术对华出口

据百能云芯电.子元器.件商.城了解，美国政府正考虑深化对华出口管制措施，旨在阻碍中国获取先进的全栅场效应晶体管（GAA）技术及高带宽存储器（HBM）技术...

2024-06-12 标签：场效应晶体管 HBM GAA 292 0

三星电子开始量产其首款3nm Gate All Around工艺的片上系统

据外媒报道，三星电子已开始量产其首款3nm Gate All Around（GAA）工艺的片上系统（SoC），预计该芯片预计将用于Galaxy S25系列。

2024-05-08 标签：三星电子 SoC芯片 EDA软件 676 0

Q1半导体设备厂商财报，GAA和HBM成为最大增长点

电子发烧友网报道（文/周凯扬）作为整个半导体行业的上游，半导体设备厂商的财报向来反映了芯片生产制造需求上所发生的变化。随着半导体设备大厂们纷纷公布了今年...

2024-05-02 标签：应用材料 ASML 季度财报 3949 0

三星半导体将其“第二代3纳米”工艺正式更名为“2纳米”！

近期，科技巨头三星半导体做出了一个引人注目的决策：将其“第二代3纳米”工艺正式更名为“2纳米”。

2024-03-06 标签：场效应晶体管三星半导体人工智能芯片 1196 0

三星与Arm携手，运用GAA工艺技术提升下一代Cortex-X CPU性能

三星继续推进工艺技术的进步，近年来首次量产了基于2022年GAA技术的3nm MBCFET ™ 。GAA技术不仅能够大幅减小设备尺寸，降低供电电压，增强...

2024-02-22 标签：AI芯片 GAA 三星 758 0

Arm和三星电子将合作开发2nm制程

与Arm扩大合作是否会对三星电子的代工业务带来提振，备受关注。

2024-02-21 标签：arm 三星电子晶圆 1113 0

三星 1.4 纳米工艺细节浮出水面

增加每个晶体管的纳米片数量可以增强驱动电流，从而提高性能。更多的纳米片允许更多的电流流过晶体管，从而增强其开关能力和运行速度。此外，更多的纳米片可以更好...

2023-11-24 标签：cpu gpu 晶体管 768 0

3D时代值得关注的趋势

2023-11-24 标签：DRAM 晶体管场效应晶体管 524 0

三星为新客户代工3nm服务器芯片：GAA结构，SiP封装

半导体设计公司ad technology于10月10日宣布，与海外客户签订了利用gaa（全环绕栅极）结构的3nm基础2.5d服务器芯片设计合同，并委托三...

2023-10-17 标签：SiP 服务器 GAA 1024 0

Intel foundry能否实现赶超？

自2021年2月Pat Gelsinger重返Intel以来，他在技术实现和财务业绩方面一直许愿不断，却无法达成目标。如果Gelsinger不尽快取得实...

2023-10-12 标签：加速器晶体管 GAA 1035 0

应用材料CEO：关注中国厂商发展，看好先进制程机遇

　加里表示：“半导体顾客的力量、性能、大小、费用、上市时间等ppact为中心，展开了激烈的竞争，因此应用材料拥有多种产品组合，gaa和背部供电，和新的一...

2023-09-07 标签：半导体核心技术 GAA 819 0

次时代EUV光刻已箭在弦上！

半导体技术的未来通常是通过光刻设备的镜头来看待的，尽管高度挑战性的技术问题几乎永无休止，但光刻设备仍继续为未来的工艺节点提供更好的分辨率。

2023-07-28 标签：PTFE 半导体技术 car 1549 0

背面供电与DRAM、3D NAND三大技术介绍

最近有许多正在全球范围内研究和开发的技术，例如晶体管GAA（Gate All around）、背面供电以及3D IC。

2023-07-26 标签：DRAM 晶体管 NAND闪存 3821 0

三星3nm GAA商业量产已经开始，首个客户是中国矿机芯片公司

三星3nm GAA商业量产已经开始。

2023-07-20 标签：半导体三星电子 ASIC芯片 2116 0

GAA器件结构工艺和挑战

中国科学院大学集成电路学院是国家首批支持建设的示范性微电子学院。为了提高学生对先进光刻技术的理解，本学期集成电路学院开设了《集成电路先进光刻技术与版图设...

2023-06-13 标签：集成电路光刻技术 GAA 1358 0

全环绕栅极晶体管将如何改变半导体行业

针对微芯片行业速度最快、最精密且最具能效的集成电路的争夺战在全球各大制造巨头之间愈演愈烈，这正是芯片制造商为何要将全新的晶体管设计结构集成到其最先进的节...

2022-12-19 标签：芯片半导体晶体管 1160 0

台积电基于GAA技术的2nm制程将会在2025年量产

台积电2021 年12,000 种产品，其中采用了300 多种制程，这些都是生态系合作的结果，没有生态系的支持，台积电就没办法进步。

2022-09-06 标签：台积电芯片设计 EUV 3477 0

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