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标签 > GaN器件
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随着氮化镓器件性能的提高,人们对这些器件的可靠性和可用性有了更大的信心后,氮化镓器件被用于广阔的全新应用。
氮化镓(GaN)器件以最小的尺寸提供了最佳的性能,提高了效率,并降低了48 V电源转换应用的系统成本。迅速增长的采纳的eGaN的®在大批量这些应用FET...
SOI独特的“Si/绝缘层/Si”三层结构,带来了诸多优势:首先,“绝缘埋层”实现了器件功能有源部分和衬底的全介质隔离,减小了寄生电容,开关频率得以提高。
不同种类的 GaN 可能具有不同的栅极驱动要求,这可能是使用 GaN 组件进行设计时面临的最大挑战之一。
芜湖第三代半导体工程中心自2017年6月启动建设。启迪新材料集团和芜湖市建设投资有限公司通力合作,在芜湖市委、市政府和高新区管委会以及发改委、科技局、经...
第三代半导体指以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、氧化锌(ZnO)和金刚石为代表的化合物半导体,该类半导体材料禁带宽度大于或等于2.2eV,因此也被称...
GaN器件用于从交流到直流的功率转换,然后用于转换负载的直流电压,可以将Si器件的整体效率从77%提高到接近84%,如图3所示。根据一级数据中心运营商G...
氮化镓 (GaN) 功率芯片行业领导者纳微半导体(纳斯达克股票代码:NVTS)近日宣布,其采用GaNSense 技术的智能GaNFast功率芯片已升级以...
大联大世平集团推出基于ON Semiconductor产品的小型工业电源供应器方案
GaN驱动器对性能至关重要,驱动器使驱动电压保持在电压最大限值内并不是唯一的要求。
2021-06-16 标签:氮化镓工业电源ON Semiconductor 1635 0
SRII重磅亮相CICD 2021,以先进ALD技术赋能第三代半导体产业
思锐智能不仅在GaN器件的ALD镀膜上实现了量产化的解决方案,也在持续挖掘ALD技术之于传统硅基,SiC,GaN器件的创新应用潜力。
功率器件领域已经进入到Si(硅)、SiC(碳化硅)、GaN(氮化镓)三种半导体材料并用的时代。过去,人们一直利用硅的加工性能良好的特点,借助精雕 细琢的...
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